TI-DRV3245Q-Q1.pdf
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A Device
MCU
N-Channel MOSFETs
Sense
Gate Drive
4.5 to 45 V
nFAULT
Protection
Diagnostics
Monitoring
Shunt Amplifiers
3-Phase Gate
Driver
3(P) + 2(N)
6(Gate)
+6(Source)
M
Shunt Amplifiers
3
SPI
4
PWM
6
Shutdown
2
B Device
MCU
N-Channel MOSFETs
Sense
Gate Drive
4.5 to 45 V
nFAULT
Protection
Diagnostics
Monitoring
Shunt Amplifiers
3-Phase Gate
Driver
2(P) + 2(N)
6(Gate)
+6(Source)
M
Shunt Amplifiers
3
SPI
4
PWM
6
Shutdown
2
Phase
Comparators
Phase
Comparators
3
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本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确
性和有效性。 在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SLVSEE3
DRV3245Q-Q1
ZHCSI80A –NOVEMBER 2017–REVISED MAY 2018
具具有有高高性性能能传传感感、、保保护护和和诊诊断断功功能能的的DRV3245Q-Q1三三相相汽汽车车栅栅极极驱驱动动器器单单
元元 (GDU)
1
1 特特性性
1
• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准， 标准：
– 器件温度等级 1：
–40°C 至 +125°C，T
A
• SafeTI™半导体组件
– 根据 ISO 26262 标准的相应要求开发
• 4.5V 至 45V 工作电压范围
• 可编程峰值栅极驱动电流高达 1A
• 支持 100% 占空比的电荷泵栅极驱动器
• 分流放大器和相位比较器
– A 器件：3 个分流放大器和三相比较器，具有状
态，通过 SPI
– B 器件：2 个分流放大器和三相比较器，具有实
时监控器，通过数字引脚
• 高达 20kHz 的 3 PWM 或 6 PWM 输入控制
• 能够进行单 PWM 模式换向
• 支持 3.3V 和 5V 数字接口
• 串行外设接口 (SPI)
• 耐热增强型 48 引脚薄型四方扁平封装 (HTQFP)
• 保护 特性：
– 内部稳压器、电池电压监控器
– SPI CRC
– 时钟监控器
– 模拟内置自检
– 可编程死区时间控制
– 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 击
穿保护
– MOSFET V
DS
过流监视器
– 栅极-源极电压实时监控器
– 过热警告和关断
2 应应用用
• 12V 汽车电机控制 应用
– 电动助力转向系统（EPS，电动液压助力转向
(EHPS)）
– 全电刹车和刹车辅助
– 变速箱和泵
3 说说明明
DRV3245Q-Q1 器件是一款适用于三相电机驱动 应用
的 FET 栅极驱动器 IC，根据 ISO 26262 标准中有关
功能安全应用的相应要求设计 而成。该器件具有三个
半桥驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟
道 MOSFET，同时还具有先进的 FET 保护和监控功
能。电荷泵驱动器可在冷启动运行期间实现 100% 占
空比并支持低电池电压。凭借所集成的分流放大器、相
位比较器和基于 SPI 的配置以及外设，该系列驱动器
省去了大多数外部和无源组件，从而减少了所需物料并
减小了印刷电路板 (PCB) 空间。
DRV3245Q-Q1 器件还为内部时钟集成了诊断和保护
功能，并可提供常用系统诊断检查支持，二者皆可进行
实例化并通过 SPI 进行报告。这种集成 特性 的灵活性
使得该器件能够无缝集成到各种安全架构中。
器器件件信信息息
(1)
器器件件型型号号 封封装装 封封装装尺尺寸寸（（标标称称值值））
DRV3245Q-Q1 HTQFP (48) 7.00mm × 7.00mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品
附录。
简简化化原原理理图图
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