TI-LM5109B-Q1.pdf

LM5109B-Q1是一款专为汽车应用设计的高电压1A峰值半桥栅极驱动器，符合AEC-Q100一级标准，具备良好的耐久性和可靠性。这款驱动器能驱动高侧和低侧N沟道MOSFET，适用于推挽转换器、半桥和全桥电源转换器、固态电机驱动器以及双开关正向电源转换器等应用。 该驱动器的最大特点是其独立的TTL/CMOS兼容输入，能提供1A的峰值输出电流，无论是灌电流还是拉电流。其自举电源电压最高可达108V直流，确保了在高压环境下的稳定工作。快速的传播时间（典型值为30ns）和优秀的传播延迟匹配（典型值为2ns）使得该驱动器能迅速响应控制信号，同时具备15ns的上升和下降时间，可驱动1000pF的负载。 此外，LM5109B-Q1具有电源轨欠压锁定功能，确保在电源电压不足时保护内部电路。低功耗设计降低了系统运行时的能量消耗，而耐热增强型WSON-8封装则提高了在高温环境下的工作能力。封装尺寸为4.00mm x 4.00mm，提供了紧凑的解决方案。 在应用中，用户需注意，高侧驱动器能在高达90V的电源轨电压下正常工作，而输出控制通过独立的TTL/CMOS兼容输入实现。器件内置的电平转换技术实现了高速运行与低功耗的平衡，提供了一个从控制输入到高侧栅极驱动器的清晰电平转换。欠压锁定功能在低侧和高侧电源轨上都有提供，增强了系统的安全性。 总体而言，LM5109B-Q1是一款高性能、高可靠性的汽车级驱动器，适用于需要高效能、快速响应和低功耗的电源转换应用。用户在设计时应参考其规格书，如绝对最大额定值、ESD等级、推荐的工作条件以及热信息等，以确保正确、安全地使用此驱动器。对于完整的数据表，包括引脚配置、功能、规格以及修订历史等详细信息，用户可以查阅SNVSAG6LM5109B-Q1ZHCSEU0A文档或访问Texas Instruments官方网站获取。