IRFH8334 英飞凌 infineon 电子元器件芯片.pdf

IRFH8334是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的HEXFET功率MOSFET芯片，主要用于高频降压转换器的控制。这款器件具有诸多特点和优势，适用于电源管理领域。 IRFH8334的主要规格包括： 1. **漏源电压(VDS)**：最大为30V，保证了在正常工作条件下器件的耐压能力。 2. **栅极源电压(VGS)**：最大为±20V，这决定了MOSFET的开启和关闭性能。 3. **最大漏极饱和电阻(RDS(on))**：在VGS = 10V时，最大值为9.0mΩ，而在VGS = 4.5V时，最大值为13.5mΩ，这个参数直接影响到器件的导通电阻和工作效率。 4. **电荷(Qg)**：典型值为7.1nC，是衡量开关性能的重要参数，它影响开关速度和功耗。 5. **体电容(CID)**：在环境温度Tc(Bottom) = 25°C时，典型值为25pF，影响器件的高频特性。 该芯片还设定了绝对最大额定值，以防止器件损坏： 1. **连续漏极电流(ID)**：在不同温度和栅极电压下，电流有不同的限制，以保护MOSFET不被过流损坏。 2. **功率耗散(PD)**：在特定温度下，器件能承受的最大功率，避免过热。 此外，IRFH8334具有低热阻特性，如： 1. **结壳热阻(RθJC)**：底部的典型值为4.1°C/W，顶部的值为37°C/W，这些数值表示从芯片内部到外壳的热传递效率，低热阻意味着更好的散热性能。 2. **结空载热阻(RθJA)**：典型值为39°C/W，这是衡量芯片从内部到周围空气的散热效率。 封装方面，IRFH8334采用PQFN 5x6mm封装，这种封装形式体积小、厚度薄，有利于提高功率密度。同时，它符合工业标准的引脚布局，确保了与多供应商的兼容性，并且可以使用现有的表面贴装技术进行生产，简化制造流程。此外，IRFH8334符合RoHS标准，不含铅、溴和卤素，对环境友好，并具有MSL1级的湿度敏感度等级，增强了产品的可靠性。 总结来说，IRFH8334是一款高性能、低热阻、易于使用的功率MOSFET，适用于需要高效能和紧凑尺寸的高频电源转换应用，如开关电源、电池管理系统和其他需要精细控制电流流动的电路设计。