IRFH6200 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

IRFH6200是英飞凌（INFINEON）公司生产的一款HEXFET功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于电子元器件领域。这款芯片采用PQFN 5mm x 6mm封装，设计紧凑，具有高效能和低热阻特性，适用于多种应用场合。 主要特点： 1. **低RDS(on)**：RDS(on)是指当MOSFET导通时源极到漏极的电阻，IRFH6200的RDS(on)最大值仅为0.99mΩ（在VGS = 4.5V时）。低的RDS(on)意味着在导通状态下，器件的传导损耗更低，这有利于提高整体系统的效率。 2. **低热阻**：芯片至PCB的热阻不超过0.8°C/W，这意味着芯片在工作时产生的热量能更有效地传递到电路板上，从而提高散热性能，降低了过热风险。 3. **低轮廓设计**：芯片厚度小于或等于0.9mm，这样的低轮廓设计有助于提高功率密度，使得设备能在有限空间内实现更高的功率输出。 4. **行业标准引脚布局**：采用标准的引脚布局设计，增强了多供应商兼容性，并且可以与现有的表面贴装技术相兼容，简化了制造流程。 5. **符合RoHS和无卤素标准**：产品符合欧盟RoHS指令，不含卤素，更加环保，有利于实现绿色电子产品设计。 IRFH6200的主要规格参数包括： - **额定电压**：VDS为20V，表明该器件可承受的最大漏源电压为20V。 - **最大RDS(on)**：在VGS = 2.5V时，最大RDS(on)为1.50mΩ。 - **电荷Qg和栅极电容CRG**：典型值分别为155nC和1.3Ω，这些参数影响开关速度和功耗。 - **连续漏极电流ID**：在不同温度和栅极电压下，连续漏极电流有不同的额定值，确保在不同工作条件下的稳定性。 - **脉冲漏极电流和功率耗散**：脉冲漏极电流IDMP和在不同温度下的功率耗散PD，规定了器件在瞬态工作状态下的能力。 - **热特性**：包括结-安装基板热阻RθJC-mb、结-顶部热阻RθJC (Top)以及结-环境热阻RθJA，这些参数影响器件的散热性能。 IRFH6200是一款高性能的功率MOSFET，适用于电源管理、电机驱动、开关电源等对效率和热管理有高要求的应用。其设计考虑了易于制造、兼容性以及环保要求，是现代电子设计中的理想选择。