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AIKB30N65DF5 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf
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AIKB30N65DF5 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片
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Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.1
www.infineon.com 2019-10-17
AIKB30N65DF5
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
HighspeedfastIGBTinTRENCHSTOP
TM
5technologycopackedwith
RAPID1fastandsoftantiparalleldiode
FeaturesandBenefits:
HighspeedF5technologyoffering:
•Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant
topologies
•650Vbreakdownvoltage
•LowgatechargeQ
G
•IGBTcopackedwithRAPID1fastandsoftantiparalleldiode
•Maximumjunctiontemperature175°C
•Dynamicallystresstested
•QualifiedaccordingtoAEC-Q101
•Greenpackage(RoHScompliant)
•CompleteproductspectrumandPSpiceModels:
http://www.infineon.com/igbt/
Applications:
•Off-boardcharger
•On-boardcharger
•DC/DCconverter
•Power-Factorcorrection
Packagepindefinition:
•Pin1-gate
•Pin2&backside-collector
•Pin3-emitter
G
C
E
G
E
C
KeyPerformanceandPackageParameters
Type V
CE
I
C
V
CEsat
,T
vj
=25°C T
vjmax
Marking Package
AIKB30N65DF5 650V 30A 1.6V 175°C AK30EDF5 PG-TO263-3
Datasheet 2 V2.1
2019-10-17
AIKB30N65DF5
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
Datasheet 3 V2.1
2019-10-17
AIKB30N65DF5
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
MaximumRatings
Parameter Symbol Value Unit
Collector-emittervoltage,T
vj
≥25°C V
CE
650 V
DCcollectorcurrent,limitedbyT
vjmax
T
c
=25°C
T
c
=100°C
I
C
55.0
35.0
A
Pulsedcollectorcurrent,t
p
limitedbyT
vjmax
1)
I
Cpuls
90.0 A
Turn off safe operating area
V
CE
≤650V,T
vj
≤175°C,t
p
=1µs
1)
- 90.0 A
Diodeforwardcurrent,limitedbyT
vjmax
T
c
=25°C
T
c
=100°C
I
F
37.0
22.0
A
Diodepulsedcurrent,t
p
limitedbyT
vjmax
1)
I
Fpuls
90.0 A
Gate-emitter voltage
TransientGate-emittervoltage(t
p
≤10µs,D<0.010)
V
GE
±20
±30
V
PowerdissipationT
c
=25°C
PowerdissipationT
c
=100°C
P
tot
188.0
93.0
W
Operating junction temperature T
vj
-40...+175 °C
Storage temperature T
stg
-55...+150 °C
Soldering temperature,
reflow soldering (MSL1 according to JEDEC J-STA-020) 260
°C
ThermalResistance
Value
min. typ. max.
Parameter Symbol Conditions Unit
R
th
Characteristics
IGBT thermal resistance,
junction - case
R
th(j-c)
- - 0.80 K/W
Diode thermal resistance,
junction - case
R
th(j-c)
- - 1.80 K/W
Thermal resistance, min. footprint
junction - ambient
R
th(j-a)
- - 65 K/W
Thermal resistance, 6cm² Cu on
PCB
junction - ambient
R
th(j-a)
- - 40 K/W
1)
Defined by design. Not subject to production test.
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