BSD235N INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

BSD235N 英飞凌 OptiMOS™ 2 小信号晶体管 BSD235N 是一款英飞凌生产的 OptiMOS™ 2 小信号晶体管，具有双 N 通道增强模式、超逻辑电平（2.5V 评级）和防avalanche 评级等特点。该晶体管符合 AEC Q101 标准，100% 无铅、RoHS 兼容、哈logen-free（根据 IEC61249-2-21 标准）。 主要特点： * 双 N 通道增强模式 * 超逻辑电平（2.5V 评级） * 防avalanche 评级 * 符合 AEC Q101 标准 * 100% 无铅、RoHS 兼容 * 哈logen-free（根据 IEC61249-2-21 标准） 最大评级： * 连续漏极电流（I DT）：0.95 A（T j=25 °C），0.76 A（T j=70 °C） * 脉冲漏极电流（I D,pulse）：3.8 A * 阿瓦兰奇能量（E AS）：1.6 mJ * 反向二极管 dv/dt：6 kV/μs *栅源电压（V GS）：±12 V * 功率损耗（P tot）：根据 T j=25 °C * 工作和存储温度（T j, T stg）：-55 ... 150 °C * ESD 等级：JESD22-A114 - HBM 0 (<250V) * 焊接温度：260 °C * IEC 气候分类；DIN IEC 68-155/150/56 电气特性： * 漏极源电阻（R DS(on)）：350 mΩ（V GS=4.5 V），600 mΩ（V GS=2.5 V） * 漏极源泄露电流（I DSS）：1 mA（V DS=20 V, V GS=0 V, T j=25 °C），100 μA（V DS=20 V, V GS=0 V, T j=150 °C） * 栅源泄露电流（I GSS）：100 nA（V GS=12 V, V DS=0 V） * 漏极源导通电阻（R DS(on)）：415 Ω（V GS=2.5 V, I D=0.29 A），266 Ω（V GS=4.5 V, I D=0.95 A） * 传导率（g fs）：2 S（|V DS|>2|I D|R DS(on)max, I D=0.76 A） 热特性： * 焊接热阻（R thJA）：250 K/W（最小 footprint） 包装信息： * 尺寸：PG-SOT-363 * 牌匾信息：H6327 * 包装方式：Tape and Reel * 是否lead-free：是 * 是否 dry 包装：否