BSC0911ND 英飞凌 infineon 电子元器件芯片.pdf

BSC0911ND 英飞凌 Infineon 电子元器件芯片 概述： BSC0911ND 是一款双 N-Channel OptiMOS™ MOSFET，由英飞凌 Infineon 生产。这款 MOSFET 特别适合高性能 Buck 转换器应用。该器件具有逻辑电平（4.5V evaluation），N-Channel 结构，JEDEC 认证，Pb-free_lead plating，RoHS 符合，Halogen-free 符合 IEC61249-2-21 标准。 特性： * 双 N-Channel OptiMOS™ MOSFET * 逻辑电平（4.5V evaluation） * N-Channel 结构 * JEDEC 认证 * Pb-free_lead plating，RoHS 符合 * Halogen-free 符合 IEC61249-2-21 标准 最大评估： * 连续漏极电流（I_D）：40A（T_j=25°C，V_gs=10V） * 脉冲漏极电流（I_D,pulse）：160A（T_c=70°C） * 峰值漏极电流（I_D,pulse）：180A（T_c=70°C，V_gs=4.5V） * 漏极源电压（V_gs）：±20V * 功率损耗（P_tot）：2.5W（T_a=25°C） * 操作温度范围：-55°C ~ 150°C * 存储温度范围：-55°C ~ 150°C 热特性： * 热阻（R_thjc）：3.4K/W * 热阻（R_thja）：1.5K/W 电气特性： * 漏极-源击穿电压（V_ds）：25V *栅-源阈值电压（V_gs）：4.5V * 零栅电压漏极电流（I_dss）：40A * 栅-源泄露电流（I_gss）：-100nA * 漏极-源电阻（R_ds）：3.7mΩ * 栅电阻（R_g）：0.5Ω * 传导增益（g_fs）：3877-S * Device mounted on a minimum pad (one layer, 70 µm thick)：Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain connection. BSC0911ND 是一款高性能的 MOSFET，适合高频率开关电源、DC-DC 转换器、电机控制等应用领域。