BSC076N04ND INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

本文将详细介绍英飞凌（INFINEON）的BSC076N04ND电子元器件芯片，这是一种双通道N沟道快速切换MOSFET，适用于驱动应用。该芯片采用OptiMOSTM-T2技术，具有出色的热性能和100%雪崩测试，符合RoHS和无卤素标准，适用于工业级应用。 1. **产品特性**： - 双通道N沟道正常电平MOSFET：这种设计允许在一个封装中控制两个独立的N沟道MOSFET，适合需要同步开关或独立控制的应用。 - 快速切换：MOSFET具有快速开关特性，适合高频率操作，降低开关损耗，提高系统效率。 - OptiMOSTM-T2技术：这是一种优化的工艺技术，专为驱动应用而设计，提供高效能和低功耗。 - 超级热阻：芯片在散热方面表现出色，有助于在高温环境下保持稳定工作。 - 100%雪崩测试：确保芯片在过电压条件下具有良好的耐受性，增强其可靠性。 - 符合RoHS和无卤素标准：不含有铅和其他有害物质，符合环保要求。 - 工业级认证：通过JEDEC的相关测试，适用于严苛的工业环境。 2. **关键性能参数**： - VDS：最大漏源电压为40V，表示MOSFET可承受的最大电压差。 - RDS(on)，max：最大漏源导通电阻为7.6毫欧，直接影响到导通状态下的功率损耗。 - ID20A：在特定条件下的最大电流能力，此处未给出具体值，但表明芯片可以处理较高的电流负载。 - 包装与标记：采用PG-TDSON-8-4S1G1S2G2D1D1D2D2封装，8引脚SSO8双通道（TDSON-8-4），订单代码为076N04ND-2。 3. **规格与性能**： - **最大额定值**：包括电压、电流和温度等极限条件，确保在这些参数下芯片仍能安全工作。 - **热特性**：涉及芯片的热阻和结温，关系到芯片在高负荷时的散热能力。 - **电气特性**：涵盖栅极阈值电压、输入电容、体二极管特性等，这些参数影响MOSFET的开关速度和控制特性。 - **电气特性图表**：通过图形展示不同参数之间的关系，帮助工程师理解和优化电路设计。 - **封装轮廓**：提供封装的尺寸和引脚布局，方便在PCB设计中正确放置和连接。 4. **修订历史**： - 记录了产品文档的更新和改进，帮助用户了解最新的技术变化。 5. **商标**： - 英飞凌的相关商标信息，表明产品的品牌和技术来源。 BSC076N04ND是英飞凌的一款高性能双通道N沟道MOSFET，适用于需要高效、可靠和环保解决方案的驱动应用。其卓越的热性能、快速切换能力和工业级认证使其成为各种电力转换和控制系统的理想选择。