BSC014N04LSI INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

【BSC014N04LSI】是一款由INFINEON（英飞凌）公司生产的电子元器件芯片，属于OptiMOSTM系列的功率MOSFET，主要用于同步整流。这款芯片具有以下关键特性： 1. **优化的同步整流设计**：BSC014N04LSI特别适合在高效率电源转换系统中进行同步整流，以提高整体系统的能效。 2. **集成的单片肖特基样二极管**：芯片内部集成了一个类似于肖特基二极管的结构，简化了电路设计并提高了性能。 3. **非常低的导通电阻(RDS(on))**：最大导通电阻仅为1.45毫欧，这意味着在工作时，芯片的功率损失较小，有助于降低系统温升。 4. **100%雪崩测试**：该芯片经过严格的雪崩测试，确保其能够在过压条件下保持稳定，增强了安全性和可靠性。 5. **逻辑电平驱动的N沟道MOSFET**：可以使用标准的逻辑信号来控制，方便与数字控制系统接口。 6. **符合JEDEC标准**：产品已经按照JEDEC（固态技术协会）的标准进行合格测试，适用于目标应用。 7. **无铅和RoHS兼容**：采用无铅焊料电镀，符合欧盟的RoHS指令，对环境友好。 8. **卤素免费**：符合IEC61249-2-21标准，不含有害的卤素成分。 9. **增强的源极互连**：由于源极连接部分扩大，提高了焊接接头的可靠性，降低了故障率。 参数表中列出了关键性能参数，如： - **VDS**：最大漏源电压为40V。 - **RDS(on),max**：最大导通电阻为1.45mΩ。 - **ID**：连续漏电流为100A。 - **QOSS**：关断状态电荷为53nC。 - **QG(0V..10V)**：栅极电荷为55nC。 此外，数据手册还提供了芯片的最大额定值、热特性、电气特性、特性曲线图、封装轮廓和修订历史等详细信息。这些资料对于评估和设计使用BSC014N04LSI的电路至关重要，可以帮助工程师了解其性能限制，确保在实际应用中的稳定性和可靠性。