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BSC014N04LSI INFINEON 英飞凌电子元器件芯片.pdf

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BSC014N04LSI INFINEON 英飞凌电子元器件芯片

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BSC014N04LSI

Rev.2.2,2016-05-04Final Data Sheet

TDSON-8FL(enlargedsourceinterconnection)

8 D

7 D

6 D

5 D

S 1

S 2

S 3

G 4

MOSFET

OptiMOS

Power-MOSFET,40V

Features

•Optimizedforsynchronousrectification

•IntegratedmonolithicSchottky-likediode

•Verylowon-resistanceR

DS(on)

•100%avalanchetested

•N-channel,logiclevel

•QualifiedaccordingtoJEDEC

fortargetapplications

•Pb-freeleadplating;RoHScompliant

•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

•Highersolderjointreliabilityduetoenlargedsourceinterconnection

Table1KeyPerformanceParameters

Parameter Value Unit

40 V

DS(on),max

1.45 mΩ

100 A

OSS

53 nC

(0V..10V) 55 nC

Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks

BSC014N04LSI TDSON-8 FL 014N04LI -

J-STD20 and JESD22

OptiMOS

Power-MOSFET,40V

BSC014N04LSI

Rev.2.2,2016-05-04Final Data Sheet

TableofContents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

OptiMOS

Power-MOSFET,40V

BSC014N04LSI

Rev.2.2,2016-05-04Final Data Sheet

1Maximumratings

atT

=25°C,unlessotherwisespecified

Table2Maximumratings

Values

Min. Typ. Max.

Parameter Symbol Unit Note/TestCondition

Continuous drain current I

100

=10V,T

=25°C

=10V,T

=100°C

=4.5V,T

=25°C

=4.5V,T

=100°C

=10V,T

=25°C,R

thJA

=50K/W

Pulsed drain current

D,pulse

- - 400 A T

=25°C

Avalanche current, single pulse

- - 50 A T

=25°C

Avalanche energy, single pulse E

- - 90 mJ I

=50A,R

=25Ω

Gate source voltage V

-20 - 20 V -

Power dissipation P

tot

2.5

=25°C

=25°C,R

thJA

=50K/W

Operating and storage temperature T

,T

stg

-55 - 150 °C

IEC climatic category;

DIN IEC 68-1: 55/150/56

2Thermalcharacteristics

Table3Thermalcharacteristics

Values

Min. Typ. Max.

Parameter Symbol Unit Note/TestCondition

Thermal resistance, junction - case,

bottom

thJC

- 0.8 1.3 K/W -

Thermal resistance, junction - case,

top

thJC

- - 20 K/W -

Device on PCB,

6 cm

cooling area

thJA

- - 50 K/W -

Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm

(one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.

See Diagram 3 for more detailed information

See Diagram 13 for more detailed information

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