ISC046N04NM5 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf
英飞凌(INFINEON)的ISC046N04NM5是一款OptiMOS 5系列的功率晶体管,适用于40伏特的工作电压环境。这款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)设计特别适合电池供电的应用以及低压电机驱动。以下是关于该芯片的详细知识: 1. **主要特性**: - **低导通电阻(RDS(on))**:最大值为4.6毫欧,这使得在高电流通过时能保持较低的电压损失,从而提高系统效率。 - **高雪崩测试能力**:100%的雪崩测试确保了其在过载条件下的安全运行,增加了设计的鲁棒性。 - **卓越的热性能**:优秀的热阻特性允许芯片在高功率操作下保持稳定,减少了因过热导致的故障风险。 - **无铅电镀**:符合RoHS标准,不含有害物质,有利于环保。 - **无卤素**:根据IEC61249-2-21标准,该产品不含卤素,符合严格的环保要求。 - **工作温度范围**:芯片能在175°C的高温下正常工作,适应各种苛刻环境。 2. **封装信息**: - **TDSON-8 FL封装**:采用8引脚的薄型双面硅片-on-board(DSO)封装,源极引脚扩大,提高了热性能和机械稳定性。 - **封装标记**:46N04NM5-2是该芯片的订单代码。 3. **关键性能参数**: - **漏源电压(VDS)**:40伏,表示芯片能够承受的最大电压差。 - **栅极阈值电压**:未在描述中给出,但通常影响MOSFET的开启和关闭特性。 - **栅极电荷(Qg)**:在0V到10V的电压范围内,Qg的最大值为16nC,影响开关速度和功耗。 - **输出电容(Qoss)**:17nC,影响开关性能。 4. **应用领域**: - **电池供电应用**:例如电动汽车、无人机或便携式设备的电源管理。 - **低压电机驱动**:如风扇、泵和伺服电机等,利用其低RDS(on)实现高效能量转换。 5. **规格表与图示**: - 文件中包含详细的规格表,涵盖最大额定值、热特性、电气特性以及电气特性曲线图。 - 包装轮廓图显示了实际芯片的物理尺寸和引脚布局,对电路板布局设计有指导作用。 6. **合规性**: - 全面按照JEDEC标准为工业应用进行产品验证,确保了其在各种环境下的可靠性。 7. **版本历史记录**: - Rev. 2.1是该数据手册的最新修订版,日期为2020年3月23日,可能包含了性能改进或新的注意事项。 英飞凌的ISC046N04NM5是一款高性能、环保且可靠的N沟道MOSFET,广泛应用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电子设计中。设计人员在选择和使用此芯片时,应仔细参考数据手册中的详细信息,以确保最佳性能和兼容性。
剩余10页未读,继续阅读
- 粉丝: 3
- 资源: 4031
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助