BSC059N04LS6 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

【英飞凌BSC059N04LS6芯片详解】 英飞凌（INFINEON）的BSC059N04LS6是一款高性能的N沟道OptiMOS 6功率晶体管，设计用于同步应用。该芯片具备低至5.9毫欧的最高导通电阻（RDS(on)），这使得它在高电流传输时具有非常低的功率损耗，提高了电源效率。此外，这款MOSFET经过100%雪崩测试，确保其在过载条件下的稳定性。 BSC059N04LS6具有优越的热阻性能，能够在高热环境下保持良好的工作状态，其额定工作温度高达175°C。封装采用TDSON-8 FL形式，扩大了源极互连，增强了散热能力。芯片符合RoHS标准，无铅电镀，且不含卤素，满足环保要求。 此款电子元器件的关键参数包括： 1. **最大电压(VDS)**：芯片能承受的最大电压为40V。 2. **最大导通电阻(RDS(on),max)**：在最佳工作条件下，RDS(on)的最大值为5.9毫欧，确保了低损耗。 3. **栅极电荷(Qoss)**：Qoss为10.2nC，反映了开关过程中栅极电荷的变化，影响开关速度和损耗。 4. **总栅极电荷(QG)**：在0V到10V的栅极电压变化范围内，QG为9.4nC，而在0V到4.5V的范围内，QG减小到4.6nC，显示了芯片的快速开关特性。 数据表中还包含了芯片的描述、最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图、封装轮廓以及修订历史等详细信息。该产品已通过JEDEC的相关测试，适用于工业级应用，确保了其在各种环境下的可靠性。 英飞凌的BSC059N04LS6是一款专为高效率、高可靠性而设计的电源管理MOSFET，广泛应用于需要高效能和低功耗的领域，如电源转换、电机控制、电池管理系统以及其他需要大电流开关的电路设计中。