IRF7907 英飞凌 infineon 电子元器件芯片.pdf

《IRF7907：英飞凌Infineon功率MOSFET芯片详解》 IRF7907是一款由英飞凌Infineon公司生产的高性能电子元器件芯片，其主要特性在于其低导通电阻（RDS(on)）、低门极电荷以及出色的雪崩电压和电流特性。这款MOSFET设计适用于电源转换领域，特别是双SO-8封装，使其在笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒等设备的POL转换器中有广泛应用。 **核心特点与优势：** 1. **非常低的RDS(on)：** IRF7907在4.5V的栅极电压下，其RDS(on)极低，这使得它在工作时能有效降低导通损耗，提高电路效率。对于Q1，RDS(on)典型值为16.4mΩ，最大值为20.5mΩ；对于Q2，RDS(on)典型值为9.1mΩ，最大值为11.8mΩ。 2. **低门极电荷：** 低门极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，有助于提高整体系统的性能。Q1的总门极电荷在6.7至10nC之间，而Q2则在142至1nC之间。 3. **全面的雪崩特性和体二极管反向恢复特性：** IRF7907经过了充分的雪崩电压和电流特性测试，确保在极限条件下的稳定性。此外，改善的体二极管反向恢复性能减少了反向恢复期间的电流尖峰，从而减少开关过程中的能量损耗。 4. **最大栅极电压：** 允许的最大栅极电压为20V，这为设计者提供了更大的工作范围。 **绝对最大额定值：** - **漏极到源极电压（VDS）**：两个晶体管的最大VDS均为30V。 - **栅极到源极电压（VGS）**：最大值为20V。 - **连续漏极电流（ID）**：在25°C时，Q1的最大ID为9.1A，Q2为11.8A；在70°C时，分别为7.3A和8.8A。 - **脉冲漏极电流**：7685A，且瞬态功率耗散也给出了相应的限制。 - **热阻抗**：包括Junction-to-Drain Lead（RθJL）和Junction-to-Ambient（RθJA），数值对两颗晶体管来说相同，反映了散热性能。 **静态特性（25°C时，除非另有说明）：** - **击穿电压（BVDSS）**：Q1和Q2的BVDSS均达到30V，并且随温度变化的系数为0.024V/°C。 - **静态漏极到源极导通电阻（RDS(on)）**：Q1的RDS(on)范围是17.1至20.5mΩ，Q2的范围是9.8至11.8mΩ。 - **栅极阈值电压（VGS(th)）**：Q1和Q2的VGS(th)在1.35至2.35V之间，且随温度下降的系数分别为-4.6mV/°C和-4.9mV/°C。 - **漏极到源极漏电流（IDSS）**：在室温下，两者的IDSS都小于或等于1.0μA。 - **栅极到源极正向泄漏电流（IGSS）和反向泄漏电流**：Q1和Q2的正向泄漏电流小于或等于100nA，反向泄漏电流小于或等于-100nA。 - **前向跨导（gfs）**：Q1的gfs为19S，Q2的gfs为24S。 - **总门极电荷（Qg）**：Q1的Qg在6.7至10nC之间，Q2的在142至1nC之间。 - **门极到源极预阈值电荷（Qgs1）**：Q1为1.3nC，Q2为3.0nC。 - **门极到源极后阈值电荷（Qgs2）**：Q1为0.7nC，Q2为1.3nC。 - **门极到漏极电荷（Qgd）**：Q1的Qgd为2.5nC，Q2的为4.9nC。 - **门极电荷过驱动（Qgodr）**：Q1为2.2nC，Q2为4.8nC。 - **开关电荷（Qsw）**：这是与开关操作相关的电荷，具体值未给出，但通常影响MOSFET的开关速度和效率。 IRF7907是一款具有优越性能指标的功率MOSFET，特别适合于要求高效能和可靠性的电源管理应用。其低RDS(on)、低门极电荷以及良好的热管理和电气特性，使其成为电子设计者在处理高密度、高效率电源转换时的理想选择。