TI-TMS55160.pdf

TI的TMS55160、TMS55161、TMS55170和TMS55171是16位多端口视频RAMs，主要用于高性能图形系统。这些器件提供了独特的功能，以满足高速数据处理和视频显示的需求。 这些RAMs具有262144字×16位的DRAM组织结构，以及256字×16位的串行地址存储器（SAM）结构。这意味着它们能提供大量的存储空间，同时支持快速访问和独立操作。 单个5.0V电源供电（允许±10%的电压波动）确保了设备的稳定运行，减少了外部电源管理的复杂性。双端口访问功能使得DRAM和SAM端口可以同时或异步地进行数据读写，这对于实时数据交换至关重要。 TMS55160系列的写入功能非常灵活。写入按位功能允许选择性地向DRAM端口的每个输入/输出（I/O）写入数据，而字节写入功能则允许用户选择性地向DRAM端口的低字节（DQ0-DQ7）或高字节（DQ8-DQ15）写入数据。此外，4列或8列块写功能加速了大面积填充操作，显著提高了效率。 为了进一步提高访问速度，这些芯片提供了增强的页面模式。如果选择扩展数据输出（EDO）选项，可以实现更快的系统周期时间。CAS-Before-RAS（CBR）和隐藏刷新功能则优化了内存访问，延长了刷新周期至最大8毫秒，这在处理连续数据流时非常有用。 全寄存器传输功能允许将DRAM中的数据无缝传输到串行寄存器，而分割寄存器传输功能可以在将数据从DRAM传输到串行寄存器的一半时，同时让另一半输出数据到SAM端口。这确保了数据的高效流动和并行处理。256个可选的串行寄存器起始点和可编程的分割寄存器停止点提供了高度的灵活性，以适应不同的应用需求。 这些RAMs支持高达55MHz的不间断串行数据流，3态串行输出设计方便了视频数据流的复用。所有输入/输出和时钟都与TTL兼容，符合JEDEC标准，确保与其他系统组件的无缝集成。此外，它们是使用TI的增强性能植入CMOS（EPIC）工艺制造的，保证了卓越的性能和可靠性。 表1列出了不同设备选项的电源电压、块写能力、页面/EDO操作。例如，TMS55160支持4列页面操作，而TMS55171则支持8列EDO操作。请注意，设备的操作电流、访问时间和各种周期时间如tRAC(MAX)、tSCA(MIN)、tPC(MIN)和tSCC(MIN)都会根据型号和工作条件的不同而变化。 TMS55160系列是专为高性能图形和视频应用设计的多端口RAM，其丰富的功能和高速性能使其成为系统设计师的理想选择。