TI-TMS44400-70DJ.pdf

TI的TMS44400、TMS44400P、TMS46400和TMS46400P是四比特动态随机存取内存（DRAM）芯片，主要用于高速数据存储和处理。这些器件采用SMHS562C封装，适用于1995年5月发布并在1996年11月修订的规范。以下是这些器件的主要特性和功能： 1. **组织结构**：每片芯片提供1048576个字（Word），每个字由4位组成，总计4MB的存储容量。 2. **电源供应**： - TMS44400和TMS44400P支持单个5V电源，电源容差为±10%。 - TMS46400和TMS46400P则采用单个3.3V电源，同样具有±10%的容差。 3. **低功耗特性**（仅限TMS46400P）： - CMOS待机模式下，功耗仅为200微安。 - 自刷新模式下，功耗同样是200微安。 - 扩展刷新电池备份模式下，功耗为300微安。 4. **性能范围**： - 访问时间分为读取和写入两种，以tRAC（读取访问时间）、tCAC（列地址访问时间）和tAA（地址访问时间）表示。 - 提供了三种速度等级：'4x400/P-60、'4x400/P-70和'4x400/P-80，分别对应60ns、70ns和80ns的最大RAS访问时间。 5. **增强型页模式操作**： - 通过增强页模式操作，这些内存可以实现更快的存取速度，提高系统性能。 6. **CAS-Before-RAS（CBR）刷新**： - 这是一种刷新策略，先执行列地址选择再进行行地址选择，有助于保持数据完整性。 7. **长刷新周期**： - 1024周期的刷新可在16毫秒内完成，对于低功耗自刷新版本TMS4x400P，最大刷新周期为128毫秒。 8. **3态未锁存输出**： - 输出引脚采用3态设计，允许在不使用时关闭，以减少对系统总线的影响。 9. **制造工艺**： - 采用德州仪器的EPIC CMOS工艺，这是一种先进的集成电路制造技术，旨在提高性能和降低功耗。 10. **工作温度范围**： - 这些设备在0°C至70°C的自由空气温度范围内均能正常工作。 11. **封装选项**： - 提供20/26引脚塑料小外形封装（TSOP，DGA后缀）和20/26引脚塑料表面贴装SOJ封装（DJ后缀）。 请注意，德州仪器在其半导体产品的可用性、标准保修以及在关键应用中的使用方面有重要的声明和免责声明，这在数据手册的末尾有所提及。此外，"ADVANCE INFORMATION"部分涉及的是处于样品或预生产阶段的新产品，其特性数据和其他规格可能在无通知的情况下发生变化。 PIN NOMENCLATURE部分可能涉及到芯片引脚的命名和功能描述，但具体内容在提供的信息中未给出。通常，这些会包括地址线、数据线、控制线等，对于理解和使用这些芯片至关重要。