TI-TMS4C2972-26DT.pdf

《TI-TMS4C2972-26DT.pdf》文档所介绍的是TI公司的一款高性能CMOS动态随机存取存储器（DRAM）——TMS4C2972。这款芯片是TMS4C2970和TMS4C2971的向上兼容和引脚对齐版本，但在块大小上有所改变，每块由原来的80个字增加到40个字，这主要影响到旧数据访问模式的启用。 TMS4C2972是一款245760字×12位的字段内存（FMEM），其主要特性包括： 1. **电源供应**：单个5V电源供电，电压容忍度为±10%。 2. **兼容性**：与TMS4C2970和TMS4C2971向上兼容，引脚对齐设计，便于替换升级。 3. **双端口内存与FIFO操作**：具有全字连续读写功能，并且读写操作是异步的。 4. **随机块访问功能**：在复位操作期间启用，每个块包含40个字，有两种写入访问模式：D0控制或输入使能（IE）控制。 5. **静态特性**：完全静态设计，无需刷新，支持无限时钟暂停，数据不会丢失。 6. **写掩码功能**：通过输入使能（IE）实现写掩码，可以控制某些位不被写入。 7. **级联连接能力**：允许多片TMS4C2972芯片串联使用，扩展内存容量。 8. **高速读写操作**：访问周期时间分别为21ns、26ns和28ns，具体取决于型号（TMS4C2972-24、TMS4C2972-26、TMS4C2972-28）。 9. **工艺技术**：采用16M位CMOS DRAM工艺制造，确保高存储密度。 10. **封装形式**：采用高可靠性塑料36引脚表面贴装缩小小型 Outline 包装（SSOP）（DT后缀）。 TMS4C2972的数据存储结构是基于12位宽的写入端口进行写入，而读出则是通过同样宽度的读取端口。两个端口可以同时或异步操作，提供灵活的内存访问方式。内部的所有指针和寄存器都是静态的，即使在读写操作中断的情况下，也能保持数据完整性，避免数据丢失。 值得注意的是，TI半导体产品的可用性、标准保修以及在关键应用中的使用，TI在其文档的末尾会有关于这些重要事项的通知和免责声明。用户在使用该产品时，应充分了解这些条款，以确保正确和安全地应用该芯片。