IPB120P04P4-04 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf
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英飞凌的IPB120P04P4-04是一款P通道增强模式的功率晶体管,属于OptiMOS®-P2系列。该芯片被设计用于汽车电子应用,符合AEC(Automotive Electronics Council)的质量标准,表明其在可靠性方面经过严格测试,适合在恶劣的汽车环境中使用。此外,它符合MSL1标准,能够承受高达260°C的峰值再流温度,这意味着在制造过程中可以承受较高的焊接温度。由于符合RoHS标准,该芯片采用绿色包装,不含有害物质。 这款电子元器件的工作温度范围宽泛,从-55°C到+175°C,这使得它能够在极端环境下稳定工作。其最大连续漏极电流(I_DTC)在25°C时为120A,而当温度升至100°C时,这一值会降至110A。脉冲漏极电流(I_D,pulse)在25°C下可达到480A,确保了在短时间内的高能量传输能力。同时,单脉冲雪崩能量(E_AS)在-60A的电流下为78mJ,而单脉冲雪崩电流(I_AS)的最大值为120A,这些特性表明芯片具有良好的抗过载能力。 门极源极电压(V_GS)的最大值为±20V,而额定的最大功率耗散(P_tot)在25°C时为136W。在热性能方面,结壳热阻(R_thJC)为1.1K/W,这意味着芯片内部产生的热量可以通过封装快速传递到外壳。对于SMD版本,结到环境的热阻(R_thJA)最小为62K/W,但在特定的PCB冷却条件下,这个值可以降低到40K/W,如果使用更大的散热面积,性能会进一步提升。 在电气特性方面,IPB120P04P4-04在25°C时的漏源击穿电压(V_BRDSS)为-40V,且零门极电压漏极电流(I_DSS)非常低,保证了在关闭状态下较低的漏电流。门极阈值电压(V_GS(th))在-340µA的电流下范围在-2.0V到-4.0V之间,而漏源导通状态电阻(R_DS(on))在-10V的门极电压和-100A的漏极电流下为2.9mΩ到3.8mΩ,对于SMD版本,这一数值为2.6mΩ到3.5mΩ。 动态特性方面,输入电容(C_iss)、输出电容(C_oss)和反向传输电容(C_rss)分别在11380pF到14790pF、3410pF到4430pF和90pF到180pF的范围内,这些参数影响了开关速度和电源效率。而开启延迟时间和关断延迟时间(t_on, t_off)则涉及芯片的开关性能,这些值对于高速开关应用至关重要。 总之,IPB120P04P4-04是英飞凌的一款高性能P通道功率MOSFET,适用于需要高电流、良好热管理及可靠性的汽车和工业应用。它的电气和热特性使其能够在广泛的温度和负载条件下稳定工作,同时满足严格的汽车级质量标准。
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