IPW60R120P7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

IPW60R120P7 英飞凌芯片是 INFINEON 公司推出的 CoolMOS™ 7th 世代高压 MOSFET，根据超结（SJ）原理设计和制造的。该芯片具有快速开关和低损耗的特点，非常适合高压电源应用。 知识点1：CoolMOS™ 技术 CoolMOS™ 是 INFINEON 公司开发的一种高压 MOSFET 技术，基于超结（SJ）原理设计和制造的。该技术具有快速开关、低损耗和高可靠性的特点，非常适合高压电源应用。 知识点2：IPW60R120P7 参数 IPW60R120P7 是 CoolMOS™ 7th 世代高压 MOSFET，具有以下参数： * 额定电压：650V * 顶部电阻：120mΩ * 门控电荷：36nC * input 电容：78AE * 体二极管 di/dt：900A/µs 知识点3：应用领域 IPW60R120P7 适合各种高压电源应用，包括： * PFC（Power Factor Correction）阶段 * 硬开关 PWM（Pulse Width Modulation）阶段 * Resonant 开关阶段 * PC Silverbox、Adapter、LCD & PDP TV、Lighting、Server、Telecom 和 UPS 等领域 知识点4：优势特点 IPW60R120P7 具有以下优势特点： * 快速开关和低损耗 * 低环形趋势和优秀的体二极管robustness * 优秀的 ESD（Electrostatic Discharge）防护能力 (>2kV) * 小尺寸封装和高制造质量 知识点5：设计考虑 在设计中，需要注意以下几点： * 使用 ferrite beads 或独立的总线极对来减少电磁干扰 * 确保 MOSFET 并联使用 ferrite beads 或独立的总线极对 * 选择合适的 MOSFET 型号以满足应用要求 IPW60R120P7 是一种高性能的高压 MOSFET，非常适合各种高压电源应用。