IPW60R099P7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

IPW60R099P7 英飞凌芯片规格书手册 本文档是 INFINEON 英飞凌芯片的规格书手册，介绍了 IPW60R099P7 600V CoolMOS™ P7 系列 MOSFET 的规格和特点。本文档将详细介绍该系列 MOSFET 的特点、应用场景、性能参数和使用注意事项。 特点 IPW60R099P7 600V CoolMOS™ P7 系列 MOSFET 是英飞凌技术的第七代超结 MOSFET 平台，采用超结原理设计，具有快速开关、低损耗、低电感和高ESD Робustness 等特点。该系列 MOSFET 兼具快速开关和低损耗，非常适合各种高压power MOSFET 应用场景。 应用场景 IPW60R099P7 600V CoolMOS™ P7 系列 MOSFET 具有广泛的应用前景，例如： * PFC 阶段 * 硬开关 PWM 阶段 * 共振开关阶段 * PC Silverbox * Adapter * LCD & PDP TV * Lighting * Server * Telecom * UPS 性能参数 本文档还提供了 IPW60R099P7 600V CoolMOS™ P7 系列 MOSFET 的性能参数，包括： * VDS @ Tj,max：650V * RDS(on),max：99mΩ * Qg,typ：45nC * ID,pulse：100A * Eoss @ 400V：5.0µJ * Body diode diF/dt：900A/µs 使用注意事项 在使用 IPW60R099P7 600V CoolMOS™ P7 系列 MOSFET 时，需要注意以下几点： * 请勿超过最大额定电压和电流 * 请勿在高温环境下使用 * 请勿在潮湿环境下使用 * 请使用 ferrite beads 或独立的 totem pole 进行 MOSFET 并联 IPW60R099P7 600V CoolMOS™ P7 系列 MOSFET 是英飞凌技术的旗舰产品之一，具有广泛的应用前景和出色的性能参数。