IPW60R180C7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

IPW60R180C7 英飞凌芯片规格书手册 IPW60R180C7 是一款高压 MOSFET功率晶体管，由英飞凌（Infineon）公司出品。该芯片采用了革命性的 CoolMOS™ C7 技术，具有超低的 onions 阈值和超高的性能。 CoolMOS™ C7 技术 CoolMOS™ C7 技术是一种基于超结结（SJ）原理的高压 MOSFET 工 nghệ。该技术由英飞凌公司首创，目前已经成为了业界领先的SJ MOSFET供应商。 CoolMOS™ C7 技术的出现标志着高压 MOSFET 的一个新时代，其性能远远超越了传统的 MOSFET。 IPW60R180C7 特点 IPW60R180C7 具有以下特点： * 高压耐压：600V * 低 onions 阈值：180mΩ * 高频响应：120V/ns * 高效率：best in class FOM RDS(on)*Eoss 和 RDS(on)*Qg * 小尺寸封装：TO-247 * 适用工业级应用：根据 JEDEC 的 J-STD20 和 JESD22标准 应用场景 IPW60R180C7 广泛应用于以下场景： * PFC 和 PWM拓扑结构中的高频开关电源 * 高性能 LLC拓扑结构中的高频开关电源 * 服务器、电信和太阳能系统中的高压电源 * 高效率的SMPS电源，例如计算机、服务器、电信和 UPS 等 技术优势 IPW60R180C7 的出现带来了以下技术优势： * 提高了经济效益：通过在 PFC 和 PWM拓扑结构中的应用，提高了经济效益 * 提高了效率：通过降低switching损失，提高了系统效率 * 提高了功率密度：通过小尺寸封装，提高了功率密度 * 适用更广泛的应用场景：服务器、电信、太阳能等 参数表 以下是 IPW60R180C7 的一些关键参数： * VDS @ Tj,max：650V * RDS(on),max：180mΩ * Qg,typ：24nC * ID,pulse：45A * ID,continuous @ Tj<150°C：22A * Eoss @ 400V：2.7µJ * Body diode di/dt：350A/µs IPW60R180C7 是一款高性能的高压 MOSFET功率晶体管，具有广泛的应用前景。