IPB60R120P7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册
本资源是 INFINEON 英飞凌芯片的中文版规格书手册,称为 IPB60R120P7。该芯片是 CoolMOS™ P7 系列的成员,具有快速开关、低损耗和高耐用性的特点。
技术特点
1. CoolMOS™ P7 技术:IPB60R120P7 采用了 INFINEON 的 CoolMOS™ P7 技术,该技术基于超结 (SJ) 原理,具有快速开关和低损耗的特点。
2. 低损耗:IPB60R120P7 具有极低的开关和导通损耗,能够提高电源效率和可靠性。
3. 高耐用性:IPB60R120P7 具有出色的耐用性,能够承受高温和高压的工作环境。
4. 低电阻:IPB60R120P7 的电阻值非常低,仅为 120mΩ,能够减少电流损耗和热量生成。
5. 高ESD 防护:IPB60R120P7 具有高达 2kV 的 ESD 防护能力,能够保护芯片免受静电损害。
应用场景
1. PFC 阶段:IPB60R120P7 适合用于 PFC 阶段的电源应用。
2. Hard Switching PWM 阶段:IPB60R120P7 也适合用于 Hard Switching PWM 阶段的电源应用。
3. Resonant Switching 阶段:IPB60R120P7 可以用于 Resonant Switching 阶段的电源应用。
4. PC Silverbox、Adapter、LCD & PDP TV、Lighting、Server 和 UPS 等应用:IPB60R120P7 适合用于各种电源应用,包括 PC Silverbox、Adapter、LCD & PDP TV、Lighting、Server 和 UPS 等。
规格参数
1. 最大耐压:650V
2. 最大电阻:120mΩ
3. 典型门电荷:36nC
4. 输入电感:78AE
5. Body diode 的 di/dt:900A/µs
IPB60R120P7 是一款高性能的 MOSFET 芯片,具有快速开关、低损耗和高耐用性的特点,适合用于各种电源应用。