IPD90P03P4L-04 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

IPD90P03P4L-04 英飞凌 电子元器件芯片 该芯片是英飞凌公司生产的一款 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power Transistor，型号为 IPD90P03P4L-04，封装为 PG-TO252-3-11。下面是该芯片的详细知识点： 静态特性 1. 漂移断路电压（V(BR)DSS）：该参数表示芯片在一定温度范围内的最大漏极-源极电压，单位为伏特（V）。在该芯片中，V(BR)DSS 的最小值为 -30V。 2. 门源阈值电压（V GS(th)）：该参数表示芯片的门源极阈值电压，单位为伏特（V）。在该芯片中，V GS(th) 的典型值为 -1.0~-1.5V。 3. 零门电压漏极电流（I DSS）：该参数表示芯片在零门电压时的漏极电流，单位为安培（A）。在该芯片中，I DSS 的典型值为 0.05~1µA。 4. 门源漏电流（I GSS）：该参数表示芯片的门源漏电流，单位为安培（A）。在该芯片中，I GSS 的典型值为 100nA。 动态特性 1. 输入电容（C iss）：该参数表示芯片的输入电容，单位为法拉德（F）。在该芯片中，C iss 的典型值为 867pF。 2. 输出电容（C oss）：该参数表示芯片的输出电容，单位为法拉德（F）。在该芯片中，C oss 的典型值为 235pF。 3. 反向传输电容（Crss）：该参数表示芯片的反向传输电容，单位为法拉德（F）。在该芯片中，Crss 的典型值为 65pF。 4. 开启延迟时间（t d(on)）：该参数表示芯片从关闭状态转换到开启状态所需的时间，单位为纳秒（ns）。在该芯片中，t d(on) 的典型值为 17ns。 5. 上升时间（t r）：该参数表示芯片的输出电压从 10% 到 90% 的时间，单位为纳秒（ns）。在该芯片中，t r 的典型值为 11ns。 6. 关闭延迟时间（t d(off)）：该参数表示芯片从开启状态转换到关闭状态所需的时间，单位为纳秒（ns）。在该芯片中，t d(off) 的典型值为 140ns。 7. 下降时间（t f）：该参数表示芯片的输出电压从 90% 到 10% 的时间，单位为纳秒（ns）。在该芯片中，t f 的典型值为 40ns。 热特性 1. 焦--case热阻（R thJC）：该参数表示芯片的焦--case热阻，单位为Kelvin/瓦特（K/W）。在该芯片中，R thJC 的典型值为 1.1K/W。 2. 焦-ambient热阻（R thJA）：该参数表示芯片的焦-ambient热阻，单位为Kelvin/瓦特（K/W）。在该芯片中，R thJA 的典型值为 40K/W。 安全特性 1. 逆变电压（V DS）：该参数表示芯片的最大逆变电压，单位为伏特（V）。在该芯片中，V DS 的典型值为 -30V。 2. 漏极电流（I D）：该参数表示芯片的最大漏极电流，单位为安培（A）。在该芯片中，I D 的典型值为 90A。 IPD90P03P4L-04 是一款高性能的 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power Transistor，适用于逆变电路、DC-DC 转换器、电源管理等应用领域。