IPD30N03S4L-14 英飞凌 infineon 电子元器件芯片.pdf
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2023-05-27
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IPD30N03S4L-14
OptiMOS
®
-T2 Power-Transistor
Features
• N-channel - Enhancement mode
• Automotive AEC Q101 qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
• Green product (RoHS compliant)
• Ultra low Rds(on)
• 100% Avalanche tested
Maximum ratings, at T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Conditions Unit
Continuous drain current
1)
I
D
T
C
=25 °C, V
GS
=10 V
30 A
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
27
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
120
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=30 A
16 mJ
Avalanche current, single pulse
I
AS
T
C
=25 °C
30 A
Gate source voltage
V
GS
±16 V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
31 W
Operating and storage temperature
T
j
, T
stg
-55 ... +175 °C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1 55/175/56
Value
V
DS
30 V
R
DS(on),max
13.6
mΩ
I
D
30 A
Product Summary
PG-TO252-3-11
Type Package Marking
IPD30N03S4L-14 PG-TO252-3-11 4N03L14
Rev. 2.1 page 1 2008-04-18
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