IPZA60R120P7 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
英飞凌的IPZA60R120P7是一款基于超级结(Superjunction)原理设计的600V CoolMOS™ P7功率MOSFET芯片。这款第七代产品是CoolMOS™ P6系列的升级版,旨在提供更快的开关速度、更优秀的易用性以及出色的耐用性。它的主要特性包括: 1. **硬开关和软开关兼容**:由于其出色的换流坚韧度,IPZA60R120P7适用于功率因数校正(PFC)和LLC谐振转换器等应用。 2. **显著降低开关和传导损耗**:这使得在开关应用中能实现更高的效率,同时减少系统尺寸并降低冷却需求。 3. **卓越的静电放电(ESD)鲁棒性**:所有产品均具有超过2kV(人体模型,HBM)的ESD耐受能力,增强了器件的可靠性。 4. **低RDS(on)/封装比**:通过实现低RDS(on)*A(低于1欧姆*平方毫米),与竞争对手相比,该产品提供了更好的导通电阻与封装尺寸的比例。 5. **符合工业应用的JEDEC标准**:确保在各种工业环境中的稳定性和可靠性。 使用IPZA60R120P7芯片的好处包括: 1. **易用性和快速设计**:低振铃倾向使得在PFC和PWM阶段的使用更加简单,加速了设计过程。 2. **简化热管理**:由于其低开关和传导损耗,减少了对散热的需求。 3. **提高功率密度**:通过采用更小体积和更高制造质量的产品,实现了更高功率密度的解决方案。 4. **广泛应用**:适合各种功率范围的应用,如PC电源适配器、LCD & PDP电视、照明、服务器、电信设备和不间断电源(UPS)等。 在并联MOSFET时,通常建议在栅极上使用铁氧体磁珠或独立的对称结构(totem pole),以优化性能。 关键性能参数包括: - 最大漏源电压(VDS @ Tj,max):650V - 最大导通电阻(RDS(on),max):120mΩ - 典型总栅极电荷(Qg,typ):36nC - 脉冲电荷(CID,pulse):78A - 体二极管的diF/dt:900A/μs - 400V时的输出电容(Eoss @ 400V):4.0μJ 封装和订购代码为Table 1所示,具体信息可能包含在完整的规格书中。英飞凌的IPZA60R120P7凭借其先进的技术特性,为高电压电源MOSFET的应用提供了高效、可靠的解决方案。
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