IPAN60R180P7S 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPAN60R180P7S是一款基于超级结（Superjunction）原理设计的600V CoolMOS™ P7功率MOSFET芯片，旨在为高压电源MOSFET提供革命性的技术。这款产品是CoolMOS™ P6系列的升级版，它结合了快速切换的SJ MOSFET的优势，如优秀的易用性，低振铃倾向，对硬开关的高体二极管耐受力以及出色的静电放电（ESD）能力。 该芯片的主要特点包括： 1. 适用于硬开关和软开关应用，如PFC（功率因数校正）和LLC转换器，其出色的开关耐受力使得在这些应用中表现出色。 2. 显著降低了开关损耗和传导损耗，提高了开关应用的效率，使设计更紧凑，发热量更低。 3. 优异的ESD耐受力，所有产品均超过2kV（人体模型，HBM），确保了更高的可靠性。 4. 相比竞品，具有更好的RDS(on)/封装比率，得益于其低RDS(on)*A（低于1欧姆*平方毫米）。 5. 按照JEDEC标准进行产品验证，确保了高质量和稳定性。 IPAN60R180P7S带来的好处包括： 1. 设计简单快速，低振铃倾向使得在PFC和PWM阶段都易于集成。 2. 由于低开关和传导损耗，简化了热管理任务。 3. 通过使用体积更小、制造质量更高的产品，实现了更高的功率密度解决方案。 4. 广泛适用于各种应用和功率范围，如PC电源、适配器、LCD & PDP电视、照明、服务器、电信设备和不间断电源（UPS）等。 在并联MOSFET时，通常建议在门极或单独的对称结构上使用铁氧体珠，以确保良好的性能。IPAN60R180P7S采用PG-TO 220 FullPAK封装，其主要性能参数包括：最大漏源电压VDS @ Tj,max为650V，最大漏源电阻RDS(on),max为180mΩ，典型栅极电荷Qg,typ为25nC，脉冲电容ID,pulse为53A，体二极管的diF/dt为900A/μs，400V下的Miller电荷Eoss为2.9μJ。 英飞凌的IPAN60R180P7S是一款高性能、高效、可靠的MOSFET芯片，适用于多种电力电子应用，其卓越的技术指标和设计特性使得在实际应用中能够实现更优的系统性能和更简单的工程实施。