IPZA60R024P7 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPZA60R024P7是一款基于超级结（Superjunction）技术的第六代CoolMOS™ P7功率MOSFET芯片。这款芯片在2019年2月28日发布了最终数据表，适用于PG-TO 247-4-3封装。作为CoolMOS™ P6系列的升级产品，IPZA60R024P7在高速开关和易用性方面有着显著的优势。 该芯片的主要特点包括： 1. **硬开关和软开关兼容**：由于其出色的换流坚固性，IPZA60R024P7适合于功率因数校正（PFC）和LLC谐振转换器等应用。 2. **降低开关和传导损耗**：与前一代产品相比，IPZA60R024P7显著减少了开关和传导损耗，提高了效率。 3. **卓越的静电放电（ESD）耐受性**：所有产品均具有超过2kV的ESD耐受能力（人体模型HBM），确保了在操作过程中的稳定性。 4. **优化的RDS(on)/封装比**：得益于低RDS(on)*A（低于1欧姆*平方毫米），该芯片在与竞争对手的同类产品相比时，提供了更好的性能。 5. **低振铃倾向**：简化设计并加快设计过程，同时在PFC和PWM阶段提供稳定表现。 6. **简化热管理**：低开关和传导损耗降低了散热需求，使得设计更紧凑，运行更凉爽。 7. **高功率密度**：通过使用小体积、高质量制造的产品，实现了更高的功率密度解决方案。 8. **宽范围应用**：适用于各种应用和功率范围，如PC电源、适配器、LCD & PDP电视、照明、服务器、电信设备和不间断电源（UPS）。 为了确保产品的可靠性，IPZA60R024P7已经按照JEDEC标准为工业应用进行了全面验证。在并联使用MOSFET时，通常建议使用门极上的铁氧体珠或分离的对称结构（如对称门极驱动）。 关键性能参数如下： - **最大漏源电压（VDS @ Tj,max）**：650V - **最大漏源电阻（RDS(on),max）**：24mΩ - **典型栅极电荷（Qg,typ）**：164nC - **脉冲电容（CID,pulse）**：386A - **反向恢复电荷（Eoss @ 400V）**：16.7μJ - **体二极管的电流上升率（diF/dt）**：900A/μs 英飞凌的IPZA60R024P7是一款高效、可靠且适应性强的功率MOSFET，尤其适合于需要高电压和低损耗的电力转换系统。其创新的超级结技术、优秀的ESD保护以及出色的热管理特性，使得该芯片在设计和实际应用中都表现出色。