IPZA60R080P7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

IPZA60R080P7 英飞凌芯片规格书手册 本文档是关于IPZA60R080P7英飞凌芯片的规格书手册，该芯片是一种600V CoolMOS™ P7系列的超结MOSFET，具有高速开关、低损耗、抗干扰能力强等特点。 概述 IPZA60R080P7是英飞凌 Technologies 公司推出的 CoolMOS™ P7系列的最新成员，该系列是基于超结（SJ）原理设计的高速MOSFET，拥有高速开关、低损耗、抗干扰能力强等特点。 特点 • 适合硬开关和软开关（PFC和LLC）应用，具有出色的 commutation ruggedness • 具有非常低的开关损耗和导通损耗 • 具有出色的ESD抗干扰能力，超过2kV（HBM） • 具有低导通电阻的封装产品，低于1Ω·mm² • 全面合格JEDEC工业应用标准 优点 • 易于使用和快速设计，适合PFC和PWM阶段 • 简化热管理，减少开关损耗和导通损耗 • 提高功率密度解决方案，适合小尺寸和高制造质量的应用 • 适合广泛的应用和功率范围，例如PC Silverbox、Adapter、LCD和PDP电视、照明、服务器、Telecom和UPS等 参数 • VDS @ Tj,max：650V • RDS(on),max：80mΩ • Qg,typ：51nC • ID,pulse：110A • Eoss @ 400V：5.5µJ • Body diode diF/dt：900A/µs 应用 IPZA60R080P7适合广泛的应用和功率范围，例如PFC阶段、硬开关PWM阶段、谐振开关阶段、PC Silverbox、Adapter、LCD和PDP电视、照明、服务器、Telecom和UPS等。 IPZA60R080P7英飞凌芯片是一种高速、低损耗、抗干扰能力强的超结MOSFET，适合广泛的应用和功率范围。