IPW60R099P6 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPW60R099P6是一款基于超级结（Superjunction）技术的CoolMOS™ P6系列高压功率MOSFET，专为电源管理及多市场应用设计。该芯片在提供高速开关性能的同时，保持了易用性，适用于工业级应用，符合JEDEC的J-STD-020和JESD22标准。 这款MOSFET具有以下关键特性： 1. 增强的MOSFET dv/dt耐受能力：这意味着IPW60R099P6能够承受较高的电压变化率，降低了在高速开关操作中可能损坏的风险。 2. 极低的损耗：其非常低的FOM（Figure of Merit）参数Rdson*Qg和Eoss表明，开关和传导损耗极低，有助于提高系统的效率，减小尺寸，减轻重量，并降低发热。 3. 高度的换流坚韧度：确保在高电流转换时的稳定性，适用于各种严苛的应用环境。 4. 易于驱动和使用：设计考虑了用户友好性，简化了电路设计和驱动方案。 5. 环保材料：采用无铅电镀和无卤素封装化合物，符合绿色制造的要求。 IPW60R099P6适用于诸如PFC（功率因数校正）阶段、硬开关PWM（脉宽调制）阶段以及用于PC银盒、适配器、LCD & PDP电视、照明、服务器、电信和UPS等设备的谐振开关阶段。在并联MOSFET时，通常建议使用门极磁珠或独立的对称电源，以优化性能和稳定性。 关键性能参数包括： - 最大漏源电压（VDS @ Tj,max）：650V - 最大漏源导通电阻（RDS(on),max）：99毫欧 - 典型总栅极电荷（Qg.typ）：70纳库仑 - 脉冲电容（CID,pulse）：109A - 体二极管di/dt：300A/微秒 - 电容能量（Eoss@400V）：8.8微焦耳 包装选项包括TO-247、TO-220和TO-220FP，相应的订购代码分别为IPW60R099P6PG-TO 247、IPP60R099P6PG-TO 220以及IPA60R099P6PG-TO 220 FullPAK。 英飞凌的IPW60R099P6是一款高性能、高效且环保的功率MOSFET，适用于需要高电压、低损耗和可靠性的电源系统设计。其优秀的特性和广泛的应用范围使其成为工业和消费电子领域中不可或缺的元件。