IPP60R099P6 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌 IPP60R099P6 芯片是一款基于超级结（Superjunction）技术的高电压功率MOSFET，属于英飞凌的CoolMOS™ P6系列。这款芯片设计独特，旨在提供高速开关性能的同时，确保易用性和耐用性。以下是该芯片的主要特点和应用领域的详细说明： 1. **MOSFET dv/dt 耐受性增强**：IPP60R099P6 具有出色的耐电压变化率能力，这意味着它能在高速开关操作中保持稳定，减少了潜在的损坏风险。 2. **极低损耗**：得益于非常低的FOM（Figure of Merit）Rdson*Qg 和 Eoss，这款MOSFET在开关和传导过程中损失极低，从而提高了整体系统效率。 3. **高耐受性**：具有非常高的耐受能力，包括开关和传导过程中的耐受性，确保了芯片在严苛工作条件下的可靠性。 4. **易驱动和使用**：设计简单，易于驱动，减少了设计和应用的复杂性。 5. **环保特性**：采用无铅电镀和无卤素封装材料，符合工业级应用的环保标准，如JEDEC的J-STD-20和JESD22。 6. **应用领域**：适用于各种电源管理场景，如PFC（功率因数校正）阶段，硬开关PWM（脉宽调制）阶段，以及用于PC银盒、适配器、LCD & PDP电视、照明、服务器、电信和UPS等的谐振开关阶段。 7. **关键性能参数**：最大漏源电压VDS @ Tj,max为650V，最大漏源电阻RDS(on),max为99mΩ，典型栅极电荷Qg.typ为70nC，脉冲电容ID,pulse为109A，体二极管的di/dt为300A/µs，400V时的存储能量Eoss为8.8µJ。 8. **封装信息**：提供TO-247、TO-220和TO-220 FullPAK封装，不同封装的订购代码分别为IPW60R099P6PG-TO 247、IPP60R099P6PG-TO 220和IPA60R099P6PG-TO 220 FullPAK。 在并联MOSFET时，一般建议使用门极磁珠或分离的对地连接，以优化性能和稳定性。此芯片的规格书详细列出了更多参数和应用指南，对于设计工程师来说是重要的参考资源。