IPW60R070P6 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPW60R070P6是一款基于超级结（Superjunction）原理设计的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，属于CoolMOS™ P6系列。该系列是英飞凌科技的创新产品，结合了其在高压MOSFET领域的领先技术和超级结技术的精华。超级结MOSFET通过特殊的结构设计，提高了器件的性能和效率。 IPW60R070P6芯片的主要特点包括： 1. 高度增强的MOSFET dv/dt鲁棒性：这意味着该器件能够承受更高的电压变化率，降低了在开关过程中可能造成的损坏风险。 2. 极低的损耗：由于其非常低的FOM（Figure of Merit）参数Rdson*Qg和Eoss，使得在开关应用中，无论是导通损耗还是开关损耗都非常低，从而提高了整体系统的效率。 3. 极高的换流耐受性：这使得在高电流快速切换的环境中，IPW60R070P6仍能保持稳定工作。 4. 易于使用和驱动：用户可以轻松地进行电路设计和控制，无需复杂的驱动电路。 5. 环保特性：采用无铅镀层和不含卤素的封装材料，符合工业级应用的JEDEC标准（J-STD-20和JESD22）。 这款芯片常用于以下应用领域： - PFC（功率因数校正）阶段 - 硬开关PWM（脉宽调制）阶段 - 共振开关阶段，如PC电源适配器、液晶电视（LCD TV）、等离子电视（PDP TV）、照明设备、服务器、电信设备以及不间断电源（UPS） 关键性能参数包括： - 最大额定漏源电压（VDS @ Tj,max）：650V - 最大导通电阻（RDS(on),max）：70mΩ - 门电荷典型值（Qg.typ）：100nC - 脉冲电容（CID,pulse）：156A - 体二极管di/dt：300A/µs - 电容储能（Eoss@400V）：12.3µJ 该器件采用TO-247封装，标记为6R070P6。在并联MOSFET时，通常建议使用门极磁珠或分离的对称驱动以优化性能和稳定性。 IPW60R070P6是英飞凌针对高效电源管理设计的一款高性能、低损耗的MOSFET，适用于各种工业级高电压应用。其出色的性能和易用性使其成为开关电源和能源管理解决方案的理想选择。