没有合适的资源?快使用搜索试试~ 我知道了~
IPL65R230C7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf
需积分: 5 0 下载量 136 浏览量
2023-06-13
16:14:15
上传
评论
收藏 1.41MB PDF 举报
温馨提示
试读
14页
IPL65R230C7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册
资源推荐
资源详情
资源评论
1
IPL65R230C7
Rev.2.1,2017-08-29Final Data Sheet
ThinPAK8x8
Drain
Pin 5
Gate
Pin 1
Power
Source
Pin 3,4
Driver
Source
Pin 2
MOSFET
650VCoolMOSªC7PowerTransistor
CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower
MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
pioneeredbyInfineonTechnologies.
CoolMOS™C7seriescombinestheexperienceoftheleadingSJ
MOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theproductportfolio
providesallbenefitsoffastswitchingsuperjunctionMOSFETsoffering
betterefficiency,reducedgatecharge,easyimplementationand
outstandingreliability.
Features
•IncreasedMOSFETdv/dtruggedness
•BetterefficiencyduetobestinclassFOMR
DS(on)
*E
oss
andR
DS(on)
*Q
g
•ThinPAKSMDPackagewithverylowparasiticinductancetoenablefast
andreliableswitchingwithminimumofsizetoincreasepower-density
•Easytouse/driveduetodriversourcepinforbettercontrolofthegate.
•Pb-freeplating,halogenfreemoldcompound
•QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20
andJESD22)
Benefits
•Enablinghighersystemefficiencybylowerswitchinglosses
•Enablinghigherfrequency/increasedpowerdensitysolutions
•Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements
•Highersystemreliabilityduetoloweroperatingtemperatures
Potentialapplications
PFCstagesandhardswitchingPWMstagesfore.g.Computing,Server,
Telecom,UPSandSolar.
Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate
orseparatetotempolesisgenerallyrecommended.
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter Value Unit
V
DS
@ T
j,max
700 V
R
DS(on),max
230 mΩ
Q
g,typ
20 nC
I
D,pulse
41 A
E
oss
@ 400V 2.3 µJ
Body diode di
F
/dt 55 A/µs
Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks
IPL65R230C7 PG-VSON-4 65C7230 see Appendix A
2
650VCoolMOSªC7PowerTransistor
IPL65R230C7
Rev.2.1,2017-08-29Final Data Sheet
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Test Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Appendix A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
3
650VCoolMOSªC7PowerTransistor
IPL65R230C7
Rev.2.1,2017-08-29Final Data Sheet
1Maximumratings
atT
j
=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Continuous drain current
1)
I
D
-
-
-
-
10
7
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
- - 41 A T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse E
AS
- - 48 mJ I
D
=4.8A; V
DD
=50V
Avalanche energy, repetitive E
AR
- - 0.24 mJ I
D
=4.8A; V
DD
=50V
Avalanche current, single pulse I
AS
- - 4.8 A -
MOSFET dv/dt ruggedness dv/dt - - 100 V/ns V
DS
=0...400V
Gate source voltage (static) V
GS
-20 - 20 V static;
Gate source voltage (dynamic) V
GS
-30 - 30 V AC (f>1 Hz)
Power dissipation P
tot
- - 67 W T
C
=25°C
Storage temperature T
stg
-40 - 150 °C -
Operating junction temperature T
j
-40 - 150 °C -
Mounting torque - - - n.a. Ncm -
Continuous diode forward current I
S
- - 10 A T
C
=25°C
Diode pulse current
2)
I
S,pulse
- - 41 A T
C
=25°C
Reverse diode dv/dt
3)
dv/dt - - 1 V/ns V
DS
=0...400V,I
SD
<=I
S
,T
j
=25°C
Maximum diode commutation speed di
F
/dt - - 55 A/µs V
DS
=0...400V,I
SD
<=I
S
,T
j
=25°C
Insulation withstand voltage V
ISO
- - n.a. V V
rms
,T
C
=25°C,t=1min
1)
Limited by T
j max
.
2)
Pulse width t
p
limited by T
j,max
3)
IdenticallowsideandhighsideswitchwithidenticalR
G
剩余13页未读,继续阅读
资源评论
芯脉芯城
- 粉丝: 3
- 资源: 4031
上传资源 快速赚钱
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
最新资源
- 基于STM32驱动MLX90614红外测温模块和OLED屏幕,测温的同时如果超过37度会在屏幕上显示报警信息
- Stability.postman-collection.json
- SQL 语言入门篇-最常用 SQL 语句大全
- mysql查询语句汇总.zip
- typora-x64-v0.9.93,windows,64位,markdown工具,文本编辑器
- 基于C语言的neon_osd_Draw ARM Neon加速OSD点阵设计源码
- 目标检测-工地工人安全设备佩戴检测数据集-3500张图-+对应VOC-COCO-YOLO三种格式标签+数据集划分脚本+训练日志
- 运筹学运输问题综合实验的实验报告
- home - 副本.vue
- imageProcess.py
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议,欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理!
点击此处反馈
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功