IPL60R085P7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

随着电力电子技术的飞速发展，高效、可靠以及具备优异开关性能的功率半导体器件越来越受到行业的重视。在众多半导体器件中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）因其低导通电阻、高速开关和简单驱动等特点，成为现代电力转换系统不可或缺的组成部分。本文档详细介绍了来自德国半导体厂商英飞凌（Infineon）的IPL60R085P7 CoolMOS™ P7系列MOSFET产品，此产品为高压MOSFET领域注入了新的活力。 让我们了解CoolMOS™ P7系列。这是英飞凌公司精心打造的第七代高压MOSFET平台，它是基于超结（Superjunction，简称SJ）技术构建的。超结技术通过在MOSFET内部创建一个具有高耐压和低导通电阻的结构，从而实现高压应用的同时保持较低的导通损耗。这使得P7系列在快速开关和高鲁棒性方面表现尤为突出，同时又不失效率和可靠性。 IPL60R085P7作为CoolMOS™ P7系列的一员，不仅继承了系列的优良特性，更在性能上有着出色的表现。该芯片适用于硬开关和软开关应用场景，例如功率因数校正（PFC）和同步整流（LLC）等。它能够提供低开关损耗和低导通损耗，尤其在需要高频操作的场合，其优异的开关性能可以显著降低整体能耗。同时，该芯片具备强大的静电放电（ESD）防护能力，大于2kV的HBM（人体模型）测试表明其具备很高的电气稳定性。 具体到参数上，IPL60R085P7的耐压值高达650V，这意味着它能够在极端高压条件下可靠运行。它的最大导通电阻RDS(on)低至85mΩ，典型栅极电荷Qg为51nC，脉冲电流ID为110A，而栅极-源极电压的开启能耗Eoss在400V下仅为5.5µJ。此外，其体二极管的diF/dt值达到800A/µs，充分展现了其高速开关的优越性能。 应用方面，IPL60R085P7 CoolMOS™ P7系列MOSFET广泛应用于包括但不限于PC电源适配器、银箱电源（Silverbox）、液晶电视（LCD）和等离子电视（PDP TV）驱动、照明、服务器、电信及不间断电源（UPS）等领域。在这些应用中，高效能、低功耗和紧凑型设计往往是设计者追求的目标，而IPL60R085P7正是满足了这些要求。 从以上分析可以看出，IPL60R085P7 CoolMOS™ P7系列MOSFET的推出对于电力电子领域的发展具有重要意义。它为各类电源转换应用提供了新的解决方案，无论是在工业级应用还是在消费电子领域，其高效的能源转换和卓越的开关性能都为用户带来了实际的价值。此外，符合JEDEC工业标准的设计确保了广泛的兼容性，为系统设计者提供了更多灵活性。 英飞凌的IPL60R085P7 CoolMOS™ P7系列MOSFET以其优异的快速开关性能、低损耗和高鲁棒性，在当前及未来的高压MOSFET市场中占有一席之地。这不仅代表了英飞凌在半导体领域内的技术实力，也为用户提供了高性价比的电子组件选择。随着技术的不断进步和市场需求的不断增长，CoolMOS™ P7系列及其相关产品无疑将继续推动电力电子技术向前发展。