IPL60R185CFD7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

"IPL60R185CFD7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册" 本资源摘要信息是关于INFINEON 英飞凌芯片的规格书手册，详细介绍了IPL60R185CFD7的技术特点、性能指标和应用场景。 技术特点： IPL60R185CFD7是基于CoolMOS™CFD7技术的功率MOSFET，采用超结（SJ）原理设计，具有高速开关、低电感和高效率的特点。该技术平台专门为软开关应用程序设计，例如相移全桥（ZVS）和LLC拓扑结构。 性能指标： * 超高速的身体二极管 * 低门控电荷（Qg） * 优秀的反恢复电荷（Qrr） * 改善的MOSFET反二极管dv/dt和diF/dt鲁棒性 * 最低的FOM RDS(on)*Qg和RDS(on)*Eoss * 优秀的RDS(on)在SMD和THD封装中 益处： * 优秀的硬交换鲁棒性 * 最高的可靠性 htmlFor 共振拓扑结构 * 最高的效率，具有出色的易用性/性能权衡 * 实现了高功率密度解决方案 应用场景： * 适合软开关拓扑结构，例如相移全桥（ZVS）和LLC * 适合服务器、电信、电动汽车充电等应用场景 产品验证： * 通过了工业应用的相关测试，根据JEDEC47/20/22标准 注意事项： * 在并联MOSFET时，建议使用铁芯珠或独立的totem poles来减少电感。 IPL60R185CFD7是INFINEON 英飞凌芯片公司开发的一款高性能功率MOSFET，具有高速开关、低电感和高效率的特点，广泛应用于软开关拓扑结构和高功率密度解决方案中。