没有合适的资源?快使用搜索试试~ 我知道了~
IPL60R105P7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf
需积分: 5 0 下载量 105 浏览量
2023-06-09
11:07:20
上传
评论
收藏 1.35MB PDF 举报
温馨提示
试读
14页
IPL60R105P7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册
资源推荐
资源详情
资源评论
1
IPL60R105P7
Rev.2.1,2018-05-15Final Data Sheet
ThinPAK8x8
Drain
Pin 5
Gate
Pin 1
Power
Source
Pin 3,4
Driver
Source
Pin 2
MOSFET
600VCoolMOSªP7PowerTransistor
TheCoolMOS™7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyfor
highvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction
(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600V
CoolMOS™P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS™P6series.It
combinesthebenefitsofafastswitchingSJMOSFETwithexcellentease
ofuse,e.g.verylowringingtendency,outstandingrobustnessofbody
diodeagainsthardcommutationandexcellentESDcapability.
Furthermore,extremelylowswitchingandconductionlossesmake
switchingapplicationsevenmoreefficient,morecompactandmuch
cooler.
Features
•Suitableforhardandsoftswitching(PFCandLLC)duetoanoutstanding
commutationruggedness
•Significantreductionofswitchingandconductionlosses
•ExcellentESDrobustness>2kV(HBM)forallproducts
•BetterR
DS(on)
/packageproductscomparedtocompetitionenabledbya
lowR
DS(on)
*A(below1Ohm*mm²)
•Fullyqualifiedacc.JEDECforIndustrialApplications
Benefits
•Easeofuseandfastdesign-inthroughlowringingtendencyandusage
acrossPFCandPWMstages
•Simplifiedthermalmanagementduetolowswitchingandconduction
losses
•Increasedpowerdensitysolutionsenabledbyusingproductswith
smallerfootprintandhighermanufacturingqualitydueto>2kVESD
protection
•Suitableforawidevarietyofapplicationsandpowerranges
Potentialapplications
PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages
fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTV,Lighting,Server,Telecom
andUPS.
Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate
orseparatetotempolesisgenerallyrecommended.
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter Value Unit
V
DS
@ T
j,max
650 V
R
DS(on),max
105 mΩ
Q
g,typ
45 nC
I
D,pulse
100 A
E
oss
@ 400V 5.0 µJ
Body diode di
F
/dt 800 A/µs
Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks
IPL60R105P7 PG-VSON-4 60R105P7 see Appendix A
2
600VCoolMOSªP7PowerTransistor
IPL60R105P7
Rev.2.1,2018-05-15Final Data Sheet
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Test Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Appendix A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
3
600VCoolMOSªP7PowerTransistor
IPL60R105P7
Rev.2.1,2018-05-15Final Data Sheet
1Maximumratings
atT
j
=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Continuous drain current
1)
I
D
-
-
-
-
33
21
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
- - 100 A T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse E
AS
- - 105 mJ I
D
=5.1A; V
DD
=50V; see table 10
Avalanche energy, repetitive E
AR
- - 0.53 mJ I
D
=5.1A; V
DD
=50V; see table 10
Avalanche current, single pulse I
AS
- - 5.1 A -
MOSFET dv/dt ruggedness dv/dt - - 80 V/ns V
DS
=0...400V
Gate source voltage (static) V
GS
-20 - 20 V static;
Gate source voltage (dynamic) V
GS
-30 - 30 V AC (f>1 Hz)
Power dissipation P
tot
- - 137 W T
C
=25°C
Storage temperature T
stg
-40 - 150 °C -
Operating junction temperature T
j
-40 - 150 °C -
Mounting torque - - - - Ncm -
Continuous diode forward current I
S
- - 33 A T
C
=25°C
Diode pulse current
2)
I
S,pulse
- - 100 A T
C
=25°C
Reverse diode dv/dt
3)
dv/dt - - 50 V/ns
V
DS
=0...400V,I
SD
<=33A,T
j
=25°C
see table 8
Maximum diode commutation speed di
F
/dt - - 800 A/µs
V
DS
=0...400V,I
SD
<=33A,T
j
=25°C
see table 8
Insulation withstand voltage V
ISO
- - n.a. V V
rms
,T
C
=25°C,t=1min
1)
Limited by T
j,max
. Maximum Duty Cycle D = 0.50
2)
Pulse width t
p
limited by T
j,max
3)
Identical low side and high side switch with identical R
G
剩余13页未读,继续阅读
资源评论
芯脉芯城
- 粉丝: 3
- 资源: 4031
上传资源 快速赚钱
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
最新资源
- 以下是一些适用于英语六级作文的万能句型模板,涵盖了引言、正文和结论部分的各类表达方式.docx
- MATLAB中的非线性规划
- 进行C语言面试资格确认是招聘过程中一个重要的步骤,目的是确保候选人具备足够的C语言编程能力和知识.docx
- Java 轻量级的集群负载均衡设计
- 纹身师个人网站模板.jpg
- 在C语言中,连接两个字符串(即将一个字符串附加到另一个字符串的末尾)通常可以使用标准库中的 `strcat` 函数.docx
- 数据库管理工具:dbeaver-ce-23.1.1-stable.x86-64.rpm
- 以下是几个具体竞赛题目的详细解答,包括建模思路、方法和步骤 .docx
- 一份关于全国大学生建模大赛的相关教程!!
- 以下是关于计算机网络和现代通信组网的详细教程、案例和相关项目的推荐.docx
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议,欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理!
点击此处反馈
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功