IPL65R195C7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

IPL65R195C7是一款由英飞凌科技（INFINEON）推出的采用 ThinPAK 8x8封装的高性能650V CoolMOS C7功率晶体管。这款芯片基于超级结（Superjunction）技术设计，该技术是英飞凌的创新成果，旨在提供高效、快速切换和高可靠性的MOSFET解决方案。 超级结MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的核心优势在于其优化的电荷密度和低电阻特性。CoolMOS C7系列集成了英飞凌在超级结MOSFET领域的丰富经验和先进技术，主要特点包括： 1. 增强的MOSFET dv/dt耐受性：这意味着芯片能承受更高的电压变化率，从而在快速开关操作中保持稳定。 2. 更优的效率：通过最佳的FOM（Figure of Merit）参数RDS(on)*Eoss和RDS(on)*Qg实现，这表示在低导通电阻和低栅极电荷下工作，降低了开关损耗，提高了系统效率。 3. ThinPAK SMD封装：这种封装具有极低的寄生电感，有助于实现快速可靠的开关操作，同时减小尺寸，提高功率密度。 4. 驱动源引脚设计：便于控制栅极，简化驱动电路设计，使芯片更易于使用。 5. 环保特性：无铅镀层和无卤素封装材料，符合工业级应用的JEDEC标准（J-STD-20和JESD22）。 6. 应用广泛：适用于PFC（功率因数校正）阶段、硬开关PWM（脉宽调制）阶段，常见于计算、服务器、电信、UPS和太阳能等领域。 关键性能参数如下： - 最大漏源电压（VDS @ Tj,max）：700V - 最大导通电阻（RDS(on),max）：195毫欧 - 门极电荷（Qg,typ）：23纳库仑 - 脉冲电容（CID,pulse）：49A - 静态输出电容（Eoss @ 400V）：2.7微焦耳 - 体二极管反向恢复电流变化率（diF/dt）：55A/微秒 在并联使用MOSFET时，通常建议在栅极或独立的对地回路中使用铁氧体珠，以改善并联稳定性。 总体而言，IPL65R195C7芯片通过其高效的开关性能、紧凑的封装和出色的可靠性，为高电压电源管理提供了强大的解决方案，有助于提升系统效率，降低冷却需求，节省成本和空间，并增强系统稳定性。