IPG20N06S2L-65A INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

《英飞凌IPG20N06S2L-65A电子元器件芯片详解》 英飞凌科技推出的IPG20N06S2L-65A是一款高性能的双N沟道逻辑级增强模式功率晶体管，属于OptiMOS系列，专门设计用于汽车电子应用。该芯片具有多项显著特点，使其在电子元器件领域具有广泛的应用前景。 IPG20N06S2L-65A通过了AEC Q101的品质认证，确保其在汽车环境中的可靠性和耐用性。同时，它符合MSL1标准，能够承受高达260°C的峰值回流温度，这在高温工作环境下尤其重要。此外，这款芯片可在175°C的高温下稳定运行，满足了高温应用的需求。 在电气性能方面，芯片的最大连续漏极电流为20A，而在100°C的工作温度下，这一数值降为14A。脉冲漏极电流可达-80A，而单脉冲雪崩能量为40mJ，雪崩电流可达到-15A。门源电压最大为±20V，而功率耗散在25°C下为43W，确保了在高负荷工作时的稳定性能。 热特性方面，芯片的结壳热阻（RthJC）未具体给出，但其SMD版本在PCB上的热阻（RthJA）最小值为-60°C/W，表明了良好的散热能力。在最小6cm²的冷却面积下，其热性能表现优越。 在静态特性上，漏源击穿电压（V(BR)DSS）在VGS=0V，ID=1mA时为55V。门阈值电压（VGS(th)）在VDS=VGS，ID=14μA时，范围在1.2V到2.0V之间。零门电压漏极电流（I_DSS）在VDS=55V，VGS=0V，Tj=25°C时为-0.011μA，而在Tj=125°C时则为-1100μA。漏源开态电阻（R_DS(on)）在VGS=4.5V，ID=7.5A时，范围在-6779mΩ至-979mΩ；在VGS=10V，ID=15A时，范围在-5365mΩ至-65mΩ，表明其低导通电阻特性。 动态特性方面，输入电容（C_iss）在315至410pF之间，输出电容（C_oss）在90至120pF之间，反向传输电容（C_rss）在35至50pF。此外，开关延迟时间（t_d(on)、t_d(off)）分别为2ns和10ns，上升时间（t_r）和下降时间（t_f）分别为3ns和7ns，表明其快速的开关性能。门源充电特性（Q_g）包括栅极到源极充电（Q_g1）、栅极到漏极充电（Q_g2）和输出电容充电（Q_g3），这些参数对于理解芯片的开关性能至关重要。 英飞凌的IPG20N06S2L-65A芯片因其出色的电气和热性能，以及针对汽车电子应用的严格认证，使其成为高功率、高温环境下的理想选择。无论是持续工作还是瞬态操作，这款芯片都能提供稳定的性能和高效能效，为各种电子系统的设计提供了可靠的解决方案。