IPG20N06S2L-65A INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf
《英飞凌IPG20N06S2L-65A电子元器件芯片详解》 英飞凌科技推出的IPG20N06S2L-65A是一款高性能的双N沟道逻辑级增强模式功率晶体管,属于OptiMOS系列,专门设计用于汽车电子应用。该芯片具有多项显著特点,使其在电子元器件领域具有广泛的应用前景。 IPG20N06S2L-65A通过了AEC Q101的品质认证,确保其在汽车环境中的可靠性和耐用性。同时,它符合MSL1标准,能够承受高达260°C的峰值回流温度,这在高温工作环境下尤其重要。此外,这款芯片可在175°C的高温下稳定运行,满足了高温应用的需求。 在电气性能方面,芯片的最大连续漏极电流为20A,而在100°C的工作温度下,这一数值降为14A。脉冲漏极电流可达-80A,而单脉冲雪崩能量为40mJ,雪崩电流可达到-15A。门源电压最大为±20V,而功率耗散在25°C下为43W,确保了在高负荷工作时的稳定性能。 热特性方面,芯片的结壳热阻(RthJC)未具体给出,但其SMD版本在PCB上的热阻(RthJA)最小值为-60°C/W,表明了良好的散热能力。在最小6cm²的冷却面积下,其热性能表现优越。 在静态特性上,漏源击穿电压(V(BR)DSS)在VGS=0V,ID=1mA时为55V。门阈值电压(VGS(th))在VDS=VGS,ID=14μA时,范围在1.2V到2.0V之间。零门电压漏极电流(I_DSS)在VDS=55V,VGS=0V,Tj=25°C时为-0.011μA,而在Tj=125°C时则为-1100μA。漏源开态电阻(R_DS(on))在VGS=4.5V,ID=7.5A时,范围在-6779mΩ至-979mΩ;在VGS=10V,ID=15A时,范围在-5365mΩ至-65mΩ,表明其低导通电阻特性。 动态特性方面,输入电容(C_iss)在315至410pF之间,输出电容(C_oss)在90至120pF之间,反向传输电容(C_rss)在35至50pF。此外,开关延迟时间(t_d(on)、t_d(off))分别为2ns和10ns,上升时间(t_r)和下降时间(t_f)分别为3ns和7ns,表明其快速的开关性能。门源充电特性(Q_g)包括栅极到源极充电(Q_g1)、栅极到漏极充电(Q_g2)和输出电容充电(Q_g3),这些参数对于理解芯片的开关性能至关重要。 英飞凌的IPG20N06S2L-65A芯片因其出色的电气和热性能,以及针对汽车电子应用的严格认证,使其成为高功率、高温环境下的理想选择。无论是持续工作还是瞬态操作,这款芯片都能提供稳定的性能和高效能效,为各种电子系统的设计提供了可靠的解决方案。
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