IPG20N04S4L-08 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

IPG20N04S4L-08 OptiMOS™-T2 Power-Transistor 本文档是关于英飞凌（INFINEON）公司生产的IPG20N04S4L-08 OptiMOS™-T2 Power-Transistor的技术文档。该文档详细介绍了该器件的特性、参数和应用信息。 概述 IPG20N04S4L-08是一个Dual N-channel Logic Level增强模式功率晶体管，适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和其他高频率应用。该器件采用OptiMOS™-T2技术，具有低导通电阻、高速开关和高效率等特点。 特性 * 双N-Channel逻辑电平增强模式 * AEC-Q101认证 * 最高达260°C的峰值回流温度 * 运行温度最高达175°C * 绿色产品（RoHS符合） * 100%avalanche测试 最大额定值 * 连续drain电流：20A（Tj=25°C） * 脉冲drain电流：-80A * avalanche能量：145mJ * avalanche电流：-15A * 盖源电压：±16V * 功率损耗：54W 热特性 *结-case热阻：2.8K/W *minimal footprint的热阻：-60K/W（6 cm²冷却面积） 电气特性 * 漏电压：40V * 极限阈值电压：1.2-1.7V * 静态drain-source电阻：9.2-10.9mΩ * 输入电容：235-305pF * 输出电容：440-570pF * 反向传输电容：20-46pF * 开启延迟时间：-7ns * 上升时间：-3ns * 关闭延迟时间：-40ns * 下降时间：-20ns * 门控电荷：6.5-8.5nC * 门控电压：-2.8V 应用 IPG20N04S4L-08 OptiMOS™-T2 Power-Transistor广泛应用于高频率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、电源管理、汽车电子和工业控制等领域。