IPG20N04S4L-07A INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌的IPG20N04S4L-07A是一款高性能的双通道N沟道逻辑级增强模式电力晶体管，属于OptiMOS™-T2系列。这款芯片是按照AEC Q101标准进行资格认证的，意味着它符合汽车电子行业的高质量要求，具有很高的可靠性和耐久性。此外，IPG20N04S4L-07A符合RoHS规定，是绿色环保产品，并且经过了100%的雪崩测试，确保了其在过载条件下的安全性。 在电气特性方面，该芯片在25°C环境温度下，连续漏极电流（一个通道激活）最大为20A，而门极源极电压范围为±16V。脉冲漏极电流的最大值为-80A，单脉冲雪崩能量为230mJ，雪崩电流为-15A。芯片的最大功率耗散（一个通道激活）在25°C时为65W，工作和存储温度范围在-55到+175°C之间。 热性能方面，结壳热阻RthJC通常在2.3K/W左右，这意味着芯片的热能从内部半导体结传递到外壳的效率。对于表面安装设备，当器件安装在PCB上时，最小足迹的结空气热阻RthJA可低至-60°C/W，具体数值取决于冷却面积，最小为6cm²。 静态特性中，漏源击穿电压V(BR)DSS在VGS=0V，ID=1mA时最小为40V，门阈值电压VGS(th)在VDS=VGS，ID=30μA时介于1.2V至2.2V。零门极电压漏极电流I(DSS)在VDS=40V，VGS=0V，Tj=25°C时小于或等于0.011μA，而在VDS=18V，VGS=0V，Tj=85°C时介于-1到100nA。漏源开态电阻RDS(on)在VGS=4.5V，ID=10A时在8.0至9.2mΩ之间，而在VGS=10V，ID=17A时则在6.5至7.2mΩ之间。 动态特性上，输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss分别在-3060至3980pF、-560至730pF和-255至80pF之间。开启延迟时间td(on)、上升时间tr、关断延迟时间td(off)和下降时间tf分别在9至4ns、4ns、50ns和25ns范围内。而门极到源极电荷Qgs和门极到漏极电荷Qgd分别为8.2至11nC和49nC。 总体来说，IPG20N04S4L-07A是一款适用于高功率应用的高效能晶体管，适合用于需要高电流驱动、快速开关和低损耗的电路设计中，如电源管理、电机控制、车载电子设备等。其出色的热管理和电气性能确保了在严苛工作环境中的稳定运行。