IPG20N06S2L-50 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌的IPG20N06S2L-50是一款OptiMOS®功率晶体管，专为汽车电子应用设计。该芯片具备双N沟道逻辑电平增强模式，符合AEC Q101汽车电子组件的可靠性标准，意味着它能够承受恶劣的环境条件，适用于汽车电子系统中的各种电源管理任务。 IPG20N06S2L-50具有优秀的耐热性能，最大工作温度可达175°C，并且符合MSL1标准，能承受260°C的峰值再流温度。此外，它是绿色环保产品，符合RoHS指令，不含有害物质。这款晶体管经过100%雪崩测试，确保在高冲击电流下的稳定性。 在最大额定值方面，当结温Tj为25°C时，每个通道的连续漏极电流I_DT为20A；而在Tj为100°C时，此值降为16A。脉冲漏极电流可达到-80A。其雪崩能量（单脉冲）为E_AS，当I_D为10A时，数值为60mJ，而雪崩电流（单脉冲）最大为-15A。门源电压V_GS的最大值为±20V，而功率损耗P_tot在结温Tj为25°C时为51W。 在热特性上，结到壳体的热阻R_thJC未给出具体数值，但通常表示了器件的散热性能。对于SMD版本的设备，当安装在PCB上时，其热阻R_thJA与最小足迹相关的冷却面积有关，数值范围为-60至-100°C/W，具体取决于PCB的冷却能力。 电气特性方面，漏源击穿电压V_(BR)DSS在V_GS为0V，I_D为1mA时为55V。门阈值电压V_GS(th)在V_DS=V_GS，I_D=19μA时，范围在1.2V至2.0V之间。零门电压漏极电流I_DSS在V_DS=55V，V_GS=0V，Tj=25°C时为-0.011μA，在Tj=125°C时为-1100μA。门源泄漏电流I_GSS在V_GS=20V，V_DS=0V时，最大值为-1100nA。 漏源开态电阻R_DS(on)是衡量晶体管导通时电阻的关键参数，当V_GS=4.5V，I_D=10A时，其值在-50至60mΩ之间；V_GS=10V，I_D=15A时，范围在-39至50mΩ。输入电容C_iss、输出电容C_oss和反向传输电容Crss分别在-430至560pF、-120至160pF以及-45至68pF之间。动态特性如开通延迟时间t_d(on)、上升时间t_r、关断延迟时间t_d(off)和下降时间t_f分别为2-ns、3-ns、15-ns和10-ns。门极到源极充电Q_gs和门极到漏极充电Q_gd的值分别在1.5至2nC和4.6至6.9nC之间。 IPG20N06S2L-50是一款高性能、高可靠性、低电阻的功率晶体管，适合在需要高效率、小体积和良好热管理的电源转换及驱动电路中使用，特别是在汽车电子领域。