TI1-TMS416800.pdf

TI的TMS41x800系列是高性能的16777216位动态随机存取存储器（DRAMs），它们被组织为2097152个8位字。这些器件采用了德州仪器（TI）的尖端增强性能植入式互补金属氧化物半导体（EPIC）技术，旨在实现高速、高可靠性和低功耗。 TMS416800和TMS417800是该系列的成员，提供了三种不同的最大RAS访问时间：60ns、70ns和80ns，这使得它们在速度上有多种选择。所有的地址输入和数据输入线都通过片上锁存器进行锁存，简化了系统设计。数据输出则未被锁存，从而增加了系统的灵活性。 该系列DRAMs采用28引脚塑料表面贴装的小外形J型引脚（SOJ）封装，具有DZ后缀，其工作温度范围为0°C至70°C。值得注意的是，对于TMS417800，A11引脚内部没有连接（NC，无内部连接）。 在功能方面，TMS41x800系列支持增强的页模式操作，包括CAS-Before-RAS（CBR）刷新，这种特性允许更快的数据读取和写入。此外，器件还具有高阻态未锁定输出，这意味着在不需要时，输出可以被设置为高阻抗状态，减少对系统其他部分的影响。 引脚定义如下： - A0到A11：地址输入，A11在TMS417800中为非连接。 - CAS：列地址选通，用于指定列地址。 - DQ0到DQ7：数据输入/输出引脚，用于传输数据。 - OE：输出使能，控制数据输出的开/关。 - RAS：行地址选通，用于指定行地址。 - VCC：5V电源电压。 - VSS：接地。 - W：写使能，控制数据写入。 封装形式为28引脚的DZ包，适用于表面安装，适合需要紧凑空间的电子设计。 TI在其数据表的末尾提到了关于产品可用性、标准保修以及在关键应用中使用其半导体产品的注意事项和免责声明，用户在使用前应仔细阅读并遵循这些条款。 TMS41x800系列是为高速、高密度存储需求设计的DRAM解决方案，适用于需要快速数据访问和可靠性的各种系统，如计算机、服务器、嵌入式系统和其他电子设备。其优化的EPIC技术确保了低功耗和高可靠性，而灵活的输出设计和多种访问时间选项则满足了不同应用的需求。