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后段工艺材料可分为隔离材料和连接材料
CMOS后段工艺材料
隔离材料
一般采用绝缘的硅氧化物，如USG（非掺杂硅玻璃）、SiON、BPSG（硼磷硅玻璃）等，作
用是隔离金属。
连接材料
Al、AlCu合金、W、Cu、Ag、Au等。
连接材料的电阻率（单位： μΩ∙Cm）分别是：铝 2.83，钨 5.48，铜 1.75，银 1.65，金 2.2
。
钨可用作局部连接和金属塞。
铜的电阻率低，且具有低的价格、低的功耗、高的器件速度、较好的可靠性，可用作纳米
级CMOS的金属连线；缺点是它与SiO2 的粘附性差，易于扩散，难于刻蚀。不能象铝一样，采
用刻蚀铝的工艺形成金属连线，需采用新的工艺，即大马士革工艺。
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