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集成电路制造工艺-应变硅技术.pptx
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集成电路
电路制造
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集成电路制造工艺
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应
应
变
变
硅
硅
技
技
术
术
高速化是集成芯片制造的重要技术指标,它可通过减小集成芯片的尺
寸提高工作速度,也可通过其它措施提高工作速度,如:提高沟道载流子
的迁移率,其中应变硅技术是应用广泛的技术手段。据报道,采用应变硅
技术的
MOSFET
与同尺寸的体
Si
MOSFET
相比,功耗减少三分之一,速度
提高
30%
,特征频率提高
50%
以上,器件的封装密度提高
50%
。
第一模块
应变硅技术简介
应变硅技术
1
2
应变硅技术是指通过应变材料产生应力,并把应
力引向器件的沟道,改变沟道中硅材料的导带或价带的能带
结构,从而减小能带谷内、谷间的散射率以及载流子在沟道
方向上的有效质量,达到提高载流子迁移率和器件工作速度
的目的。
干法刻蚀类型及特点
1
2
应变硅技术简介
应力可分为张应力和压应力,它们对电子和空穴迁移率的影响不同。
应力的分类
能改变硅导带的能带结构,降低电子
的电导有效质量和散射概率,从而提
高电子的迁移率,
nMOS
的导电载流
子是电子,因此张应力能提高
nMOS
的工作速度。
张应力
能提高空穴的迁移率,
pMOS
的导电
载流子是空穴,因此压应力能提高
pMOS
的工作速度。
压应力
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