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集成电路制造工艺-高k栅介质技术.pptx
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集成电路
电路制造
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集成电路制造工艺
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高
高
K
K
栅
栅
介
介
质
质
技
技
术
术
高k栅介质技术
早期,集成
电
路内
Si-MOS
器件的
栅
介
质
是二氧化硅,根据摩
尔
定理,集成
电
路器
件特征尺寸的
缩
小
应
遵循等比例
缩
小
规则
,要求
栅
介
质
的厚度同步降低。当
SiO
2
的
厚度小于
3
nm
时
,将出
现
明
显
的量子遂穿效
应
,厚度每减小
0.2
nm
,遂穿
电
流就增
大
10
倍;当厚度小于
2
nm
时
,它不再是理想的
绝缘
体,需要
选
用高
k
(即高介
电
常
数)材料取代二氧化硅,作
为栅
介
质
。
第一模块
栅极漏电产生的机制
1
2
栅
极漏
电
栅极漏电产生的机制
对栅
介
质过
薄的
MOS
器件施加
栅电压时
,由于量子遂穿效
应
,在
栅电
极与
衬
底
间产
生的
电
流,称
为栅
极漏
电
。
Si
衬底
S
D
无栅极漏电
Si
衬底
S
D
栅极漏电
有栅极漏电
栅
极漏
电对
集成
电
路的影响
栅极漏电会引起集成电路的功耗急剧增加,增加的功耗会导致芯片发热,进而影响到集成电路的可靠性
,甚至使电路无法工作。
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zvcxbnm
2023-11-27
资源简直太好了,完美解决了当下遇到的难题,这样的资源很难不支持~
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