latch-up

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: JEDEC JESD78F.01 IC LATCH-UP TEST.pdf JEDEC JESD78F.01 IC Latch-Up Test.pdf JEDEC（Joint Electron Devices Engineering Council，电子设备工程委员会）是一家非营利性行业组织，旨在推动电子设备行业的发展和标准化。JEDEC 规格和出版物是行业内的...
评级：0 浏览量：390 收藏量：0 资源大小：2.16MB 上传时间：2023-05-19

: latch-up闩锁效应.pdf **Latch-up 闩锁效应** Latch-up 是一种在半导体集成电路（IC）中可能出现的现象，特别是在CMOS（互补金属氧化物半导体）技术中，它会导致电源电压（VDD）和地线（GND）之间形成一个低阻抗通路，从而产生大电流，这...
评级：0 浏览量：1194 收藏量：6 资源大小：131KB 上传时间：2021-12-22

: 【Technical Document】Latch-up及其保护措施.pdf 《Latch-up及其保护措施》 Latch-up现象是集成电路设计中一个极为重要的问题，尤其是对于采用CMOS工艺的芯片而言。这种现象源于CMOS工艺中固有的PNPN结构，即所谓的SCR（Silicon-Controlled Rectifier）结构。由于...
评级：0 浏览量：245 收藏量：0 资源大小：1017KB 上传时间：2021-09-05

: 闩锁Latch-up及其保护措施-（3PEAK）.pdf 【闩锁（Latch-up）原理及保护措施】闩锁（Latch-up）现象是集成电路设计中一个重要的考虑因素，尤其在CMOS工艺中。它源于电路内部的寄生四层PNPN结构，即SCR（Silicon Controlled Rectifier）结构。这个结构具有...
评级：0 浏览量：349 收藏量：1 资源大小：920KB 上传时间：2023-07-26

: Latch-up测试中负电流的影响和防护阐述了在Latch-up测试中负电流的产生机理，以及芯片内部寄生双极晶体管对负电流的连锁反应机理，并以模拟电压缓冲器和线性稳压器为例分析了负电流对芯片可能造成的影响，最后提出了一系列在芯片内部可以采取的防护...
评级：0 浏览量：448 收藏量：0 资源大小：222KB 上传时间：2020-10-16

: JEDEC JESD78F.01：2022 IC Latch-Up Test （IC 闩锁测试）- 完整英文电子版（91页）完整英文电子版JEDEC JESD78F.01：2022 IC Latch-Up Test - （IC 闩锁测试）。本标准涵盖了集成电路的 I-test 和 Vsupply 过压闩锁测试。本标准的目的是建立一种确定 IC 闩锁特性的方法并定义闩锁检测标准。闩锁特性...
评级：5 浏览量：220 收藏量：0 资源大小：1.83MB 上传时间：2023-11-15

: PCB技术中的Latch-Up(锁定) Latch-Up（锁定）是PCB（印刷电路板）技术中的一种关键问题，特别是在CMOS（互补金属氧化物半导体）集成电路中。这个现象是由于CMOS结构中存在的寄生电路导致的，能够引发严重的电气故障，甚至可能导致芯片损坏或...
评级：0 浏览量：440 收藏量：1 资源大小：32KB 上传时间：2020-12-09

: JESD78F 2022 IC LATCH-UP TEST.pdf JESD78F 2022 IC Latch-Up Test JEDEC 标准概述 JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council，电子设备工程委员会）是一个由半导体行业领导者组成的组织，旨在制定和发布半导体行业相关的标准和规范。...
评级：5 浏览量：868 收藏量：4 资源大小：2.5MB 上传时间：2022-06-13

: ANSI ESD SP5.4.1-2017 For Latch-up Sensitivity Testing of CMOS B 《ANSI ESD SP5.4.1-2017 对CMOS B型电路Latch-up敏感性测试》是静电放电（ESD）防护领域的重要标准，它详细阐述了如何对CMOS BiCMOS集成电路进行瞬态Latch-up测试，以评估其在ESD事件下的耐受性和敏感性。...
评级：5 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：1.03MB 上传时间：2021-10-01

: Latch up测试标准 "Latch up测试标准" Latch up测试标准是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）制定的一个工业标准，旨在确保半导体器件的可靠性和安全性。Latch up是一种电流泄露现象，当半导体器件在高温、高湿或...
评级：0 浏览量：302 收藏量：0 资源大小：2.16MB 上传时间：2023-04-15

: 【最新版可复制文字】 JEDEC JESD78F 2022 IC LATCH-UP TEST.pdf JEDEC JESD78F 2022 IC LATCH-UP TEST 【知识点1:JEDEC标准组织】 JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）是半导体行业的标准组织，旨在制定和发布半导体行业的技术标准和规范，以确保半导体产品的...
评级：5 浏览量：133 收藏量：1 资源大小：2.5MB 上传时间：2022-11-28

: 【最新版可复制文字】 JESD78F 2022 IC LATCH-UP TEST.pdf 在各种潜在的可靠性问题中，Latch-Up现象尤为引人关注。Latch-Up，也被称作“锁定效应”，是一种在CMOS集成电路等半导体器件中由于寄生结构的触发而导致电流激增的现象，可能引起器件失效。针对这一问题，JEDEC固态...
评级：5 浏览量：234 收藏量：0 资源大小：2.5MB 上传时间：2022-11-28

: JEDEC JESD78E：2016 IC Latch-Up Test - 完整英文电子版（30页）.pdf 1. latch-up 测试的定义和分类：该标准文件对 latch-up 测试进行了定义和分类，包括 latch-up 的定义、分类、 latch-up 的危害、Latch-up testing 的重要性等方面。 2. latch-up 测试方法：该标准文件介绍了 latch-...
评级：5 浏览量：477 收藏量：0 资源大小：660KB 上传时间：2021-09-02

: JEDEC JESD78E：2016 IC Latch-Up Test - 完整英文电子版（30页）.zip **JEDEC JESD78E：2016 IC Latch-Up Test** JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）是一个全球知名的半导体行业组织，致力于制定和发布电子存储器和其他相关电子组件的标准。JESD78E是JEDEC发布的一项...
评级：5 浏览量：315 收藏量：0 资源大小：643KB 上传时间：2021-10-01

: latch-up protection of mosfet driver ### MOSFET驱动器中的Latch-Up保护 #### 引言在集成电路（IC）的设计与应用过程中，Latch-Up现象是一个常见的问题，特别是在采用互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的器件中。Latch-Up指的是IC在特定条件下形成...
评级：0 浏览量：91 收藏量：0 资源大小：137KB 上传时间：2010-07-14

: AEC-Q100-004D：2012 IC Latch-Up Test（IC锁存测试）- 完整英文电子版（11页）所有在集成电路（IC）设备上进行的、符合AEC Q100标准的闩锁测试，应符合JEDEC EIA/JESD78规范的最新版本，并有以下澄清和要求（所列章节编号与JEDEC规范相对应）。自本文件的最后一次修订以来，文本的改进和差异...
评级：5 浏览量：134 收藏量：0 资源大小：42KB 上传时间：2023-11-10

: AEC-Q100-004D：2012 IC Latch-Up Test - 完整英文电子版（11页）.pdf AEC-Q100-004D 是一份由 Automotive Electronics Council (AEC) 制定的行业标准，专门针对2012年发布的一种集成电路（IC）的Latch-Up测试。Latch-Up现象是指在半导体器件中，由于某种原因（如静电放电、过电压等）...
评级：0 浏览量：111 收藏量：0 资源大小：65KB 上传时间：2021-09-03

: USB Type-C 应用中，若 TVS选料错误所造成的高度 Latch-up 风险（简体）.pdf ESD protection for USB and Latch-up
评级：0 浏览量：166 收藏量：1 资源大小：635KB 上传时间：2021-06-30

: Investigation of A Latch-up Immune Silicon Controlled Rectifier for Robust ESD Application A latch-up immune robust SCR with an N+ top.layer and an additional Nwell region (Nwell2) is proposed in this.paper. The N+ top layer and Nwell2 divide the original SCR into.three new SCRs with ...
评级：0 浏览量：88 收藏量：0 资源大小：494KB 上传时间：2021-02-22

: AEC-Q100-004D：2012 IC Latch-Up Test - 完整英文电子版（11页）.zip 《AEC-Q100-004D：2012 IC Latch-Up Test》是一份关于集成电路（IC）闩锁测试的重要技术文档，它详细阐述了在汽车电子行业中，如何对半导体器件进行标准的闩锁耐受性测试。这份11页的完整英文电子版资料对于理解和...
评级：0 浏览量：118 收藏量：0 资源大小：41KB 上传时间：2021-10-01

: JESD78E 中文翻译 IC 闩锁测试 IC Latch Up Test.pdf JESD78E 中文翻译 IC 闩锁测试 IC Latch Up Test.pdf
评级：5 浏览量：580 收藏量：2 资源大小：4.13MB 上传时间：2023-03-02

: latch up 分析首先来看一下latch up时拍到的照片 screen.width-430)this.width=screen.width-430" border=0> 放大后的照片 screen.width-430)this.width=screen.width-430" border=0> 红点部分就是发生latch up的位置，latch up...
评级：0 浏览量：906 收藏量：1 资源大小：106KB 上传时间：2020-12-09

: 芯片latchup原理总结《芯片LATCHUP原理详解及防范措施》 LATCHUP，又称闩锁效应，是集成电路设计中一个重要的问题，尤其对于CMOS工艺的芯片来说，它可能导致芯片功能失效甚至损坏。本文将深入探讨LATCHUP的产生原理以及如何有效地防止...
评级：0 浏览量：3239 收藏量：1 资源大小：174KB 上传时间：2014-11-05

: A new latch-free LIGBT on SOI.pdf 在功率半导体器件的研究与开发中，一个重要的问题就是闩锁效应（latch-up）的避免。闩锁效应是指在某些条件下，器件内部的寄生元件导致器件失效的状况，常见的有寄生双极型晶体管（如LIGBT中的n-p-n结构）被触发而...
评级：0 浏览量：102 收藏量：0 资源大小：1.32MB 上传时间：2019-05-27

: Latch up 的原理分析 "Latch up 的原理分析" Latch up 是一种常见的集成电路故障，发生在 CMOS 芯片中，是由于寄生PNP和NPN双极性BJT之间的相互影响而产生的一低阻抗通路。Latch up 的出现可能会使 VDD 和 GND 之间产生大电流，导致芯片...
评级：4 浏览量：3115 收藏量：5 资源大小：76KB 上传时间：2010-05-06

: CMOS Latchup and ESD and Attena Effest.7z up闩锁效应》涵盖了ESD的原理和防护策略，《CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施研究》以及《latch-up-和-GuardRing.ppt》则专门讨论了Latch-up现象和Guard Ring的作用。总之，理解和处理这些问题对于CMOS集成...
评级：0 浏览量：259 收藏量：0 资源大小：6.65MB 上传时间：2019-10-18

: Sensirion_Humidity_ESD_Latch_Up_EMC_Application-教程与笔记习题文档《Sensirion_Humidity_ESD_Latch_Up_EMC_Application_Note_V1.3》对ESD（静电放电）、Latch-Up（锁存效应）和EMC（电磁兼容性）进行了详尽的阐述，为设计者提供了在应用SHTxx传感器时如何保护设备不受这些潜在...
评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：329KB 上传时间：2021-05-20

: Latch up 的原理图分析 Advertisement Latch up .rar (11.21 KB, 下载次数: 441 ) 2010-10-25 13:43 上传点击文件名下载附件下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元分析
评级：0 浏览量：1667 收藏量：0 资源大小：11KB 上传时间：2019-09-10

: 一本关于CMOS Latchup的书，内容详细 ### CMOS Latchup详解 #### 一、引言《关于CMOS Latchup的书》是由Steven H. Voldman所著的一本专业书籍，该书详细介绍了CMOS技术中的Latchup现象及其相关解决方案。Latchup是集成电路设计与制造过程中一个非常...
评级：0 浏览量：637 收藏量：3 资源大小：8.8MB 上传时间：2010-04-30

: electrostatic discharge and latchup 静电放电（Electrostatic Discharge，简称ESD）与闩锁效应（Latch-Up）是集成电路设计与制造中两个至关重要的问题，它们直接关系到电路的可靠性和使用寿命。以下是对这两个概念及其相互关联的深入探讨。 ### 静电...
评级：0 浏览量：182 收藏量：0 资源大小：222KB 上传时间：2010-01-03

: 防Latch up电路专利台湾人的对ic设计技术人员来说，latch up是必备的看家本领。不懂这个，可以说，你还得努力学习。
评级：0 浏览量：426 收藏量：1 资源大小：174KB 上传时间：2012-07-28

: 闩锁效应latch_up 闩锁效应（latch up）是CMOS必须注意的现象，latch解释为回路更合适，大家以后看到latch up就联想到在NMOS与PMOS里面的回路。为什么它这么重要？因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且与...
评级：5 浏览量：2235 收藏量：2 资源大小：565KB 上传时间：2015-11-29

: 这些运算放大器知识你注意到了吗在电子工程领域，运算放大器（以下简称运放）是设计模拟电路时不可或缺的核心组件。这种集成电路的灵活性和多用途性使其广泛应用于各种电子系统中，从简单的信号处理到复杂的信号转换和滤波。然而，在深入探讨运放...
评级：0 浏览量：118 收藏量：0 资源大小：205KB 上传时间：2020-08-29

: AEC Q100-004D.pdf 《AEC Q100-004D.pdf》是一个由Automotive Electronics Council（汽车电子委员会）发布的关于集成电路（IC）测试的规范文档，特别是针对IC的Latch-up测试。Latch-up现象是半导体器件中的一种潜在问题，它可能导致...
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：51KB 上传时间：2023-02-18

: ESP32-C3-WROOM-02 模块的数据手册 - 经过 HTOL/HTSL/uHAST/TCT/ESD/Latch-up 等多项可靠性测试。 #### 三、产品特性 - **强大的处理能力**: 采用了高性能的 RISC-V 单核处理器，能够高效地执行复杂的任务。 - **丰富的外设接口**: 提供了多种接口...
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：1.18MB 上传时间：2024-06-06

: CMOS电路中抗Latch_up的保护环结构在弱信号放大的情况下，尤其是对弱电流放大的情况下，有可能需要在运放的输入端加一个保护环（guard ring，或称屏蔽环)，目的是抑制漏电流对运放输入端造成影响
评级：0 浏览量：924 收藏量：3 资源大小：301KB 上传时间：2018-06-08

: TI-SN74LV4046A.pdf 该芯片的特点是高速、低功耗、宽工作温度范围和 latch-up 性能。特点 1. ESD 保护：超过 JESD 22-2000-V 人体模型（A114-A）和 1000-V 充电设备模型（C101）。 2. 三个相位比较器：Exclusive OR、Edge-Triggered ...
评级：0 浏览量：45 收藏量：4 资源大小：1.14MB 上传时间：2022-11-30

: TI-SN74LVT32244.pdf 本器件采用先进的 BiCMOS 技术，具有低静态功率耗散和 latch-up 性能超过 100 mA。主要特点： * 低电压操作：3.3-V VCC 操作，支持不稳定的电池操作 * 高速缓冲器/驱动器：32 位缓冲器/驱动器，具有三个状态输出 ...
评级：0 浏览量：23 收藏量：4 资源大小：780KB 上传时间：2022-11-28

: TI-TL7726.pdf 该芯片非常适合应用于汽车或工业系统中的模拟到数字转换器保护，以防止Latch-Up现象的发生。 TL7726芯片的另一个重要特点是低功率损耗。在Standby状态下，该芯片的功率损耗小于1mW，这使得其非常适合应用于需要低...
评级：0 浏览量：37 收藏量：5 资源大小：951KB 上传时间：2022-11-20

: TI-TS3DS26227.pdf 具有高频带宽数据路径，断路前开关功能，输入逻辑电平转换，低电荷注入，优秀的导通电阻匹配，低总谐波失真（THD），2.3-3.6V 电源电压（V+），1.65-1.95V 逻辑电源电压（VIO）， latch-up 性能超过 100 mA/JESD 78...
评级：0 浏览量：48 收藏量：4 资源大小：947KB 上传时间：2022-12-01

: TI-SN75451B.pdf * 无输出 latch-up at 20 V（在输出300 mA后） * 高速开关 * 开路输出 * 电路灵活性，适用于多种应用 * TTL 兼容二极管钳位输入 * 标准电源电压应用 * 高速逻辑缓冲器 * 电源驱动器 * 灯驱动器 * LED 驱动器 * ...
评级：0 浏览量：71 收藏量：5 资源大小：1.4MB 上传时间：2022-11-14

: TI-TRSF3243.pdf 8. **Latch-up性能**：根据JESD 78，Class II标准，其Latch-up性能超过100mA，提高了系统的可靠性。 **电源管理控制**是TRSF3243的另一个亮点。当串行端口不活动时，提供了灵活的电源管理选项。自动关断功能在FORCE...
评级：0 浏览量：57 收藏量：4 资源大小：943KB 上传时间：2023-01-31

: Virtex-II datasheet Latch-up immune to LET > 160 MeV-cm /mg SEU in GEO upsets < 1.5E-6 per device day achievable with recommended redundancy implementation Certified to MIL-PRF-38535 (Qualified Manufacturer Listing) ...
评级：0 浏览量：218 收藏量：1 资源大小：1.36MB 上传时间：2015-08-17

: 符合Mbus通信标准（EN1434-3）的接口芯片,设计文档下载-Reliability test report（MBUS MC8721C).pdf 在Latch-Up测试中，芯片没有出现Latch-Up现象。在高温储存测试中，芯片在125℃高温环境中保持了24小时的稳定性。四、结论根据测试结果，我们可以结论MC8721C芯片满足MBUS 通信标准（EN1434-3）的要求，具有良好...
评级：4 浏览量：264 收藏量：0 资源大小：438KB 上传时间：2019-09-03

: TI-SN74CBTLV16212.pdf TI-SN74CBTLV16212的Latch-Up性能超过100 mA Per JESD 78, Class II，能够提供可靠的数据交换服务。知识点7：ESD保护 TI-SN74CBTLV16212具有ESD保护功能，能够抵御2000-V Human-Body Model（A114-A）和200-V ...
评级：0 浏览量：47 收藏量：4 资源大小：1.23MB 上传时间：2022-12-02

: TI-TLC59211.pdf - 良好的抗Latch-Up性能，超过JEDEC标准JESD-17的250mA要求。 - ESD保护性能出色，符合JESD 22标准，包括2000V人体模型(A114-A)，200V机器模型(A115-A)和1000V充电设备模型(C101)。 2. **应用** - 用于灯具和...
评级：0 浏览量：56 收藏量：5 资源大小：889KB 上传时间：2022-11-16

: TI-SN74CBTLV3861-Q1.pdf 5.Latch-Up 性能：SN74CBTLV3861-Q1 的 Latch-Up 性能超过 100 mA Per JESD 78，Class II。工作原理 SN74CBTLV3861-Q1 工作原理是基于输出使能（OE）信号控制的。当 OE 低电平时，10 位 BUS 开关处于打开状态，...
评级：0 浏览量：36 收藏量：4 资源大小：811KB 上传时间：2022-12-01

: TI-SN74CBTLV16211.pdf 6. Latch-Up性能：该芯片的Latch-Up性能超过250mA/JESD 17标准。 7. 封装信息：该芯片提供了多种封装方式，包括SOP、SSOP、TSSOP、TVSOP等，满足不同应用场景的需求。 8. 应用场景：该芯片适用于高速总线开关、...
评级：0 浏览量：59 收藏量：4 资源大小：1.21MB 上传时间：2022-12-02

: TI-CDCE949-Q1.pdf TI-CDCE949-Q1的Latch-Up性能满足100 mA的要求，能够满足不同的应用要求。知识点11：Three User-Definable Control Inputs TI-CDCE949-Q1具有三个用户可定义的控制输入，能够满足不同的应用要求。知识点12：Wide...
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