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防Latch up电路专利 台湾人的
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Latch
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对ic设计技术人员来说,latch up是必备的看家本领。不懂这个,可以说,你还得努力学习。
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Latch up 的原理图分析
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Advertisement Latch up .rar (11.21 KB, 下载次数: 441 ) 2010-10-25 13:43 上传 点击文件名下载附件 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元 分析
Latch up测试标准
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"Latch up测试标准" Latch up测试标准是JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)制定的一个工业标准,旨在确保半导体器件的可靠性和安全性。Latch up是一种电流泄露现象,当半导体器件在高温、高湿或...
Latch up 的原理分析
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7. 除在 I/O 处需采取防 Latch up 的措施外,凡接 I/O 的内部 mos 也应圈 guard ring。 防止 Latch up 的措施还包括版图设计和工艺技术。版图设计去耦技术包括: 1. 加粗电源线和地线,合理布局电源接触孔,减小...
一本关于CMOS Latchup的书,内容详细
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**Latchup**是一种在CMOS集成电路中可能发生的故障模式,当电路工作在某些特定条件下时,会在内部形成寄生晶闸管(Parasitic Thyristor),从而导致电流无限增大,最终可能导致芯片损坏或功能失效。这种现象主要由...
芯片latchup原理总结
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LATCHUP,又称闩锁效应,是集成电路设计中一个重要的问题,尤其对于CMOS工艺的芯片来说,它可能导致芯片功能失效甚至损坏。本文将深入探讨LATCHUP的产生原理以及如何有效地防止这一现象。 LATCHUP现象的产生源于...
CMOS Latchup and ESD and Attena Effest.7z
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压缩包内的文件提供了更深入的理论分析和实例,如《对CMOS闭锁效应的透彻理解》探讨了Latch-up的机制和解决方案,《CMOS集成电路闩锁效应的形成机理和对抗措施研究》详细讨论了抗Latch-up的技术,《latch-up和ESD》...
latch-up闩锁效应.pdf
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Latch-up 是一种在半导体集成电路(IC)中可能出现的现象,特别是在CMOS(互补金属氧化物半导体)技术中,它会导致电源电压(VDD)和地线(GND)之间形成一个低阻抗通路,从而产生大电流,这可能导致芯片的永久性...
JEDEC JESD78F.01 IC LATCH-UP TEST.pdf
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Latch-Up 是一种电路故障,可能会导致 IC 产品的损坏或故障。JEDEC JESD78F.01 规格提供了 IC Latch-Up 测试的详细要求和方法,旨在确保 IC 产品的可靠性和安全性。 JEDEC JESD78F.01 规格的主要内容包括: * IC ...
electrostatic discharge and latchup
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静电放电(Electrostatic Discharge,简称ESD)与闩锁效应(Latch-Up)是集成电路设计与制造中两个至关重要的问题,它们直接关系到电路的可靠性和使用寿命。以下是对这两个概念及其相互关联的深入探讨。 ### 静电...
JESD78E 中文翻译 IC 闩锁测试 IC Latch Up Test.pdf
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JESD78F 2022 IC LATCH-UP TEST.pdf
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Latch-Up 是一种电路故障现象,指的是当集成电路(IC)在工作时突然出现的电压降低或电流增加,导致电路损坏或崩溃。Latch-Up 可能会导致 IC 不能正常工作,甚至烧毁。因此,对 IC 的 Latch-Up 测试是非常重要的。 ...
latch-up protection of mosfet driver
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在集成电路(IC)的设计与应用过程中,Latch-Up现象是一个常见的问题,特别是在采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的器件中。Latch-Up指的是IC在特定条件下形成短路状态,这种状态类似于可控硅整流器(SCR)的...
闩锁Latch-up及其保护措施-(3PEAK).pdf
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闩锁(Latch-up)现象是集成电路设计中一个重要的考虑因素,尤其在CMOS工艺中。它源于电路内部的寄生四层PNPN结构,即SCR(Silicon Controlled Rectifier)结构。这个结构具有正反馈机制,一旦被激活,将导致电流...
CMOS电路中抗Latch_up的保护环结构
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Latch type&滞回比较器
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ANSI ESD SP5.4.1-2017 For Latch-up Sensitivity Testing of CMOS B
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Latch-up测试中负电流的影响和防护
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阐述了在Latch-up测试中负电流的产生机理,以及芯片内部寄生双极晶体管对负电流的连锁反应机理,并以模拟电压缓冲器和线性稳压器为例分析了负电流对芯片可能造成的影响,最后提出了一系列在芯片内部可以采取的防护...
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JESD78F是JEDEC固态技术协会发布的一份标准,主要关注集成电路(IC)的Latch-Up测试。Latch-Up现象是指在半导体器件中,尤其是CMOS集成电路中,由于寄生三极管的开启,导致电流失控增大,使得电路性能恶化甚至失效的...
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JEDEC JESD78E:2016 IC Latch-Up Test - 完整英文电子版(30页).pdf
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1. latch-up 测试的定义和分类:该标准文件对 latch-up 测试进行了定义和分类,包括 latch-up 的定义、分类、 latch-up 的危害、Latch-up testing 的重要性等方面。 2. latch-up 测试方法:该标准文件介绍了 latch-...
AEC-Q100-004D:2012 IC Latch-Up Test(IC锁存测试)- 完整英文电子版(11页)
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JEDEC JESD78E:2016 IC Latch-Up Test - 完整英文电子版(30页).zip
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