p型掺杂

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p型掺杂

: ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光 (2007年) 本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术，其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等；在p型掺杂的基础上，实现ZnO同质p-n结室温电注入发光。
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：408KB 上传时间：2021-05-15

: p型掺杂Fe的CuCrO“ 2半导体薄膜的磁，电和光学性质通过脉冲激光沉积制备具有c轴准外延取向的Fe掺杂CuCrO2铜铁矿薄膜，该薄膜表现出相当好的p型电导率，TC远高于室温的铁磁性，并且在可见光范围内具有较高的透明性。研究了铁浓度（0-15 at％）对组织和物理性能的影响...
评级：0 浏览量：31 收藏量：0 资源大小：640KB 上传时间：2021-04-08

: 基于第一性原理的二维g-AlN材料p型掺杂研究半导体材料通过掺杂实现n型和p型载流子导电在半导体器件领域具有重要意义，理论上可通过计算电荷转移能级和缺陷形成能来探索半导体材料的n型和p型掺杂效率。基于第一性原理，结合二维带电缺陷计算方法，类石墨烯...
评级：0 浏览量：178 收藏量：0 资源大小：4.6MB 上传时间：2021-02-21

: p型掺杂浓度对反射型GaN光电阴极的影响 p型掺杂浓度对反射型GaN光电阴极的影响
评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：263KB 上传时间：2021-02-23

: 碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究 (2011年) 通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比．计算结果表明，在氮化铝中由碳硅共掺形成的Cn-Si络合物(n=1，2，3，4)可以稳定存在，特别是在C2-Si络合物中碳受主电离能仅有0．19 eV，比单个...
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：268KB 上传时间：2021-05-29

: ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光 ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光，叶志镇，曾昱嘉，本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术，其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等；在p型�
评级：0 浏览量：92 收藏量：0 资源大小：272KB 上传时间：2020-02-28

: P型掺杂对AlGaInP双异质结发光二极管的Al组分确定的影响 (2003年) 在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了限制层Al组分分别对应确定为一个最合适的取值,此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,LED的复合效率最高.从而可以探索P型...
评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：112KB 上传时间：2021-05-31

: MgZnO膜的p型掺杂及其在光电器件中的应用 MgZnO膜的p型掺杂及其在光电器件中的应用
评级：0 浏览量：39 收藏量：0 资源大小：1.87MB 上传时间：2021-03-17

: 结合使用基于MoO“ 3的中间层和p型掺杂的串联OLED的混合中间连接器结合使用基于MoO“ 3的中间层和p型掺杂的串联OLED的混合中间连接器
评级：0 浏览量：39 收藏量：0 资源大小：1.04MB 上传时间：2021-03-05

: 通过调整p型掺杂的最后一个势垒来增强蓝色发光二极管的性能通过调整p型掺杂的最后一个势垒来增强蓝色发光二极管的性能
评级：0 浏览量：36 收藏量：0 资源大小：784KB 上传时间：2021-03-29

: 具有电流饱和的重p型掺杂化学气相沉积石墨烯场效应晶体管具有电流饱和的重p型掺杂化学气相沉积石墨烯场效应晶体管
评级：0 浏览量：31 收藏量：0 资源大小：1.05MB 上传时间：2021-03-25

: OO键稳定的锌空位是Σ7ZnO晶界上p型掺杂的起源 OO键稳定的锌空位是Σ7ZnO晶界上p型掺杂的起源
评级：0 浏览量：33 收藏量：0 资源大小：1.17MB 上传时间：2021-03-24

: 通过Mg-Ga-ONδ-共掺杂提高纳米（AlN）（5）/（GaN）（1）超晶格取代的Al0.83Ga0.17N合金的p型掺杂效率：O... 这导致高空穴浓度约为10（20）cm（-3）（AlN）（5）/（GaN）（1）SL中在室温下我们的结果证明，在具有超薄GaN层的AlN / GaN SL中进行nMg（Ga）-ON（n = 2,3）d共掺杂是提高富含Al的AlGaN中p型掺杂效率的有效方法。...
评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：2.22MB 上传时间：2021-04-02

: p型ZnO薄膜制备和掺杂的研究进展高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。综述了获得p型ZnO薄膜的制备方法和掺杂技术的研究进展，讨论了目前生长高质量的p型ZnO薄膜存在的困难，并对不同方法制备的p型ZnO薄膜的特点进行了比较分析。
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：504KB 上传时间：2021-02-26

: p型半导体金刚石研究现状.pdf p型半导体金刚石研究现状.pdf
评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：984KB 上传时间：2021-08-29

: 激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H-SiC 通过激光辐照固态Al膜，制备了一种p型重掺杂4H-SiC，分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的影响，验证了不同工艺参数对p型掺杂层表面电学性能的调控作用。结果表明，当Al膜厚度为120 nm，脉冲个数为50时，掺杂...
评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：7.99MB 上传时间：2021-01-27

: 二维BN材料中n型掺杂探索: 基于第一性原理的带电缺陷计算半导体材料的有效掺杂可为半导体器件的成功应用提供保障。...另外，CB体系在宿主BN为p型掺杂时+1价态具有负形成能，将会严重降低BN p型掺杂效率及空穴导电率。该研究结果可为实验上对二维BN进行掺杂尝试提供理论依据。
评级：0 浏览量：333 收藏量：0 资源大小：3.14MB 上传时间：2021-02-06

: p型透明导电材料及器件应用研究进展综述了p型ZnO基氧化物、p型含铜氧化物、p型硫族化合物等透明导电材料及其器件应用的研究现状，重点介绍了近年来出现的p型掺杂的新方法、新机制及新材料的性能，并指出了今后的发展趋势和研究重点。
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：697KB 上传时间：2021-02-10

: 半导体掺杂相关知识介绍由于在硅中杂质的有限的固体溶解性，即使重掺杂的半导体每百万中也只有几百个杂质而已。由于半导体对于杂质的极度敏感性，很难制造真正的本征物质。因此实际上半导体器件几乎都是由掺杂物质制造的。掺有磷的半导体...
评级：5 浏览量：2197 收藏量：1 资源大小：68KB 上传时间：2020-12-09

: 应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN(英文) (2001年) 应用Mg离子注入MOCVD法生长掺杂Mg的GaN中 ,在经过 80 0℃ ,1h的退火后 ,获得高空穴载流子浓度 (8 2 8× 10 17cm-3 )的P 型GaN。首次报道了实验上通过Mg离子注入到Mg生长掺杂的GaN中并获得高的表面空穴载流子浓度。
评级：0 浏览量：91 收藏量：0 资源大小：293KB 上传时间：2021-06-18

: P-型掺杂的聚乙炔在电解质水溶液中稳定性的研究 (1986年) 但是需要强调的是P-型掺杂的聚乙炔的比电导的衰变会由于掺杂的聚乙炔插在某些浓的水溶液中而得到有效的抑制。因而P-型掺杂的聚乙炔在水溶液中是相当稳定的。其稳定性取决于掺杂剂负离子的特性,电解质溶液中的负离子...
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：478KB 上传时间：2021-05-23

: P型碲镉汞液相外延材料As掺杂的研究通过富Te液相外延(LPE)技术, 制备了As掺杂HgCdTe薄膜材料, 通过后期富Hg高温热退火(400 ℃), 成功获得低掺杂原子数分数P型As掺杂HgCdTe薄膜材料。通过二次离子质谱(SIMS)确定掺杂原子数分数。利用变温霍尔测试(10～...
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：1.77MB 上传时间：2021-02-26

: Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征 Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征，蔡晖，张志远，使用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了ZnOSe薄膜。在不同温度下对ZnOSe薄膜在N2气氛中进行快速退火。采用X射线衍射、Hall测试、紫外-
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：332KB 上传时间：2020-02-21

: 掺杂Mg 掺Ag后Mg2Si为p型半导体, 价带主要由Si的3p, Mg的3s、3p及Ag的3p、4d、5s态电子构成, 静态介电常数为11.01, 折射率为3.3175。掺Al后Mg2Si为n型半导体, 导带主要由Mg的3s、3p, Si的3p及Al的3p态电子构成, Al的3s态...
评级：0 浏览量：89 收藏量：0 资源大小：4.64MB 上传时间：2021-02-10

: 锂氮共掺杂法制得的稳定p型ZnO薄膜锂氮共掺杂法制得的稳定p型ZnO薄膜
评级：0 浏览量：17 收藏量：0 资源大小：901KB 上传时间：2021-04-12

: 通过脉冲等离子体沉积沉积透明的p型导电K掺杂NiO膜通过脉冲等离子体沉积沉积透明的p型导电K掺杂NiO膜
评级：0 浏览量：21 收藏量：0 资源大小：1.03MB 上传时间：2021-04-26

: 从头算方法研究C和O掺杂的p型AlN晶体的铁磁性从头算方法研究C和O掺杂的p型AlN晶体的铁磁性，许梁，王玲玲，用基于自旋激化密度泛函理论平面波赝势的从头算方法对p型Al(C,N) 晶体的电子结构和磁相互作用进行了计算。计算结果表明：一个C原子�
评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：559KB 上传时间：2020-03-10

: 观察重掺杂p型SiGe的接触电阻率与肖特基势垒高度无关观察重掺杂p型SiGe的接触电阻率与肖特基势垒高度无关
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：510KB 上传时间：2021-02-24

: 表面效应对Li 掺杂的ZnO薄膜材料P型电导的影响表面效应对Li 掺杂的ZnO薄膜材料P型电导的影响，司杭，何海燕，我们利用第一性原理的方法研究了在ZnO非极性表面和极性表面的不同原子层中，分别用Li原子去替位Zn原子（记为LiZn）后的相对稳定性和�
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：489KB 上传时间：2019-12-29

: B/P共掺杂双层石墨烯的电子结构特性研究 B/P共掺杂双层石墨烯的电子结构特性研究，张东东，丁宗玲，采用第一性原理方法和密度泛函理论，系统研究了B/P共掺杂的双层石墨烯体系的原子结构及电子结构特性。结果表明，B/P共掺杂双层石墨
评级：0 浏览量：400 收藏量：0 资源大小：435KB 上传时间：2020-02-17

: 钇掺杂P型赝三元半导体热电材料的微观结构与热电性能.pdf 钇掺杂P型赝三元半导体热电材料的微观结构与热电性能.pdf
评级：0 浏览量：41 收藏量：0 资源大小：2.41MB 上传时间：2021-08-29

: Al-N 共掺杂p 型ZnO 薄膜制备及电学性能的研究 (2012年) 实验结果表明,Al-N 共掺杂ZnO 薄膜在578 益退火8 min 表现出较稳定的p 型导电,其载流子数高达1伊1018 ~6*10 18 个・cm-3 ,对应的电阻率为1 -9 ・cm,迁移率为1 ~ 2 cm2 ・V-1 ・s-1 。与单掺N相比,
评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：368KB 上传时间：2021-05-22

: 有前途的p型透明导电材料CsGeCl3的第一性原理预测在这里，我们报道基于ns（2）阳离子具有低结合能的化合物也可以具有高价带最大值，这对根据掺杂限制规则的p型掺杂至关重要。特别是，通过第一性原理计算，CsGeCl3是具有ns（2）阳离子价带最大的化合物，被预测为有...
评级：0 浏览量：149 收藏量：0 资源大小：369KB 上传时间：2021-04-01

: 单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池数值模拟通过模拟优化，n型MoS2的电子亲和能为3.75 eV、掺杂浓度为1018 cm-3，p型c-Si的掺杂浓度为1017 cm-3时，太阳电池能够取得最高22.1%的转换效率。最后模拟了n型MoS2/p型c-Si异质结界面处的界面态对太阳电池性能的影响...
评级：0 浏览量：245 收藏量：0 资源大小：3.21MB 上传时间：2021-02-22

: Ag-Ce共掺杂锐钛矿型TiO 结果表明：Ag-Ce共掺杂后,Ag-4d和O-2p电子轨道的共同作用引入了有利于电子跃迁的浅杂质能级；Ag-4d和Ce-4f电子轨道的强相互作用使得禁带宽度减小，吸收光谱发生红移；Ce离子的引入有效地降低了杂质体系中电子-空穴对...
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：10.98MB 上传时间：2021-02-04

: Ce/S共掺杂锐钛矿型TiO 采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算了Ce，S单掺杂及Ce/S共掺杂锐钛矿型二氧化钛(TiO2)的能带结构、态密度和光学性质。结果表明：掺杂后晶格常数均变大，禁带宽度均减小，其中Ce/S共掺杂后由于S-3p电子轨道...
评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：7.16MB 上传时间：2021-02-07

: 自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜的发光特性采用螺旋波等离子体辅助溅射技术...两种薄膜的发光特性比较分析表明，N-Al共掺杂技术能够有效提高N的固溶度，N受主能级密度增加使薄膜表现出较强的施主-受主对跃迁发光，表明该技术为实现p型ZnO薄膜制备的有效方法。
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：510KB 上传时间：2021-02-12

: Na掺杂p型ZnMgO薄膜制备与p-ZnMgO:Na/n-ZnO p-n结LED原型器件研究 Na掺杂p型ZnMgO薄膜制备与p-ZnMgO:Na/n-ZnO p-n结LED原型器件研究，薛雅，叶志镇，采用脉冲激光沉积方法制备出晶体质量较好的Na掺杂p型ZnMgO薄膜，薄膜沿c轴方向柱状生长，p型导电信号可靠。在低阻Ga掺杂(0001)取向...
评级：0 浏览量：104 收藏量：0 资源大小：303KB 上传时间：2020-03-02

: N掺杂p-型ZnSe电子结构的第一性原理计算 (2009年) 采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理全电子势线性缀加平面波方法（FPLAPW），对N掺杂ZnSe晶体的几何结构进行了优化，从理论上给出了N掺杂ZnSe晶体结构参数并对中心Zn原子近邻和次近邻位N掺杂前后总态密度及分态...
评级：0 浏览量：38 收藏量：0 资源大小：312KB 上传时间：2021-06-15

: 表面态在p型硅中产生的横向光伏效应表面态在p型硅中产生的横向光伏效应
评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：909KB 上传时间：2021-03-24

: 退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响 (2008年) 实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550～600℃,退火时间控制在5～10 min内,可以获得较稳定的p型 ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的 ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到1.22×10 18 cm - 3 ,迁移率为...
评级：0 浏览量：38 收藏量：0 资源大小：228KB 上传时间：2021-05-14

: 单层MoS_2分子掺杂的第一性原理研究还表明吸附TTF分子的单层MoS2结构表现出n型半导体的特质,而吸附TCNQ,TCNE两种分子的单层MoS2结构均表现出p型半导体的性质,这些结果表明可以通过改变吸附的分子来实现对单层MoS2的掺杂类型的调控.本文的研究结果将对...
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: Ag2Te掺杂对P型Bi0.5Sb1.5Te3块状合金热电性能的影响 Ag2Te掺杂对P型Bi0.5Sb1.5Te3块状合金热电性能的影响，沈俊杰，朱铁军，采用真空熔炼、机械球磨及放电等离子烧结技术 (SPS) 制备得到了(Ag2Te)x(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x （x= 0, 0.025, 0.05, 0.1）系列样品，性能测试...
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: ZnO薄膜材料表面的Li-N共掺杂构型及其对p型电导的影响 ZnO薄膜材料表面的Li-N共掺杂构型及其对p型电导的影响，司杭，何海燕，本文利用第一性原理的方法，系统地研究了在ZnO非极性表面和极性表面的不同原子层中，同时用单个Li和N原子分别去替代Zn和O原子(记为Li
评级：0 浏览量：96 收藏量：0 资源大小：1.9MB 上传时间：2020-02-09

: p型ZnO纳米线及其表面H钝化的理论分析采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法的DMol3软件，对ZnO纳米线表面在非H钝化和H钝化两种...此外，在这两种表面的情况下，掺杂的N原子越靠近表面，其固溶度越高，导电性越强，越容易形成良好的p型ZnO纳米线。
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：2.15MB 上传时间：2021-02-25

: 退火温度对用PIII方法制备共掺杂p型ZnO薄膜结构和性能的影响 (2011年) 采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO: Al薄膜,以NO和O2为源气体(V( O2 ) /V( O2 + NO) = 75%),采用等离子体浸没离子注入(PIII)方法对薄膜进行注入得到ZnO: Al: N薄膜,注入剂量为2.23×1015 cm-2,并在N2氛围下对样品...
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: 光伏设备行业：N型电池产业化进程加快设备行业有哪些投资机会？-38页.pdf 目前P型电池已经接近理论效率天花板。N型硅片的少子寿命更高、对金属污染的容忍度更高、无光致衰减衰减（BO-LID）现象决定了其具有更高的理论光电转化效率。N型硅片对P型硅片的成本溢价较2018年已经大幅下降，...
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: 直流磁控溅射ZnO：Al2O3陶瓷靶材制备Al-N-掺杂P型ZnO薄膜中高载流子迁移率的实现在这项研究中，Al-N共掺杂型氧化锌（ZnO）薄膜在N2和... 所述p型ZnO薄膜显示该rangeof载流子浓度1.5×10 15 -2.93×10 17 cm -3时，resistivityin的131.2-2.864Ωcm的范围内，和迁移率的3.99-31.6厘米2伏范围-1 s -1 。
评级：0 浏览量：148 收藏量：0 资源大小：2.6MB 上传时间：2021-03-16

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