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p型掺杂浓度对反射型GaN光电阴极的影响
p型掺杂浓度对反射型GaN光电阴极的影响
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p型掺杂浓度对反射型GaN光电阴极的影响
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锐钛矿相TiO2中P掺杂浓度与电子结构的关系 (2013年)
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利用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势平面波方法对不同浓度P替位Ti掺杂锐钛矿相TiO2的晶格参数、P电荷布居、能带结构、态密度和吸收光谱进行计算。计算结果表明:随着P掺杂浓度的增加,锐钛矿相TiO2的晶胞体积逐渐减小,但掺杂P原子的电荷布居数基本没有变化;同时禁带宽度逐渐增大,并在价带顶附近引入了掺杂能级,费米能级进入导带,使TiO2呈现半金属特性。随着掺杂浓度的增大,掺杂TiO2在可见光区域
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