缺陷形成

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缺陷形成

: defect_lammps_lammps计算缺陷形成能_缺陷能_ 本程序为LAMMPS程序，用于计算缺陷形成能
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: ZrO2晶体本征点缺陷形成能的第一性原理计算及热动力学性质 (2015年) 结合第一性原理和热动力学方法模拟计算得到不同温度和氧分压条件下 ZrO2 晶体本征点缺陷的形成能,讨论了各种点缺陷的形成能随Fermi 能级变化的规律。在常温低氧分压条件下,随着Fermi能级从0变化到5.40eV,最稳定的点...
评级：0 浏览量：228 收藏量：0 资源大小：722KB 上传时间：2021-05-14

: 论文研究-SiC单晶生长动力学模型和缺陷形成机制的研究 .pdf SiC单晶生长动力学模型和缺陷形成机制的研究，徐伟，刘雪绞，近年来大直径SiC单晶体的生长是国内外研究的重点，SiC是一种宽带隙半导体材料、第三代半导体材料的代表。物理气相传输法（PVT）是生
评级：0 浏览量：206 收藏量：0 资源大小：285KB 上传时间：2019-08-21

: 注塑成型典型缺陷形成原因及解决措施注塑成型典型缺陷形成原因及解决措施，严志云，谢鹏程，注射成型加工过程是一个涉及材料、模具、注射机、成型工艺等多方面因素的复杂加工流程。注射成型制品缺陷的出现在所难免，于是�
评级：0 浏览量：252 收藏量：0 资源大小：1.03MB 上传时间：2020-02-25

: 云计算-连铸坯中缩缺陷形成的数值计算及地浇道电磁搅拌对铸坯凝固影响的研究.pdf 云计算-连铸坯中缩缺陷形成的数值计算及地浇道电磁搅拌对铸坯凝固影响的研究.pdf
评级：0 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：1.38MB 上传时间：2022-07-03

: 气辅注射成型制品气泡缺陷形成机理 (2006年) 研究了气辅注射成型制品气道内壁气/熔两相界面处蜂窝状气泡的形成机理。在气辅注射成型工艺过程中,高压 N 2 达到了超临界状态,导致 N 2 流体向熔融的聚合物熔体...并据此提出了如何减少气道内壁气泡缺陷的工艺条件。
评级：0 浏览量：33 收藏量：0 资源大小：551KB 上传时间：2021-05-29

: 镀锡K板板面烧蚀缺陷形成机理研究 (2014年) 其产生是由于带钢与软熔接地辊辊面接触不良引发局部大电流电弧放电，导致带钢局部温度急剧升高，引起板面锡层熔化而形成的．提出了预防该缺陷的措施：保持软熔接地辊辊面及淬水槽溶液清洁，并在软熔接地辊前增加热风...
评级：0 浏览量：35 收藏量：0 资源大小：373KB 上传时间：2021-05-11

: 大数据-算法-空调面框缩痕缺陷形成机理分析及注塑工艺参数优化.pdf 大数据-算法
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: 微流控芯片注射紫外光固化成型中缺陷形成机理及解决方案研究.pdf 微流控芯片注射紫外光固化成型中缺陷形成机理及解决方案研究.pdf
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: 软件缺陷的分类与管理比如我们碰到下面这种情况，测试人员发现有一种功能是必需加入进去的，这时他与程序员说，程序员说没有时间或是不必要，这时这种情况则会形成两者的扯皮，最终的结果也就不了了知了，这样会戳伤了测试人员的积极性，...
评级：0 浏览量：402 收藏量：0 资源大小：51KB 上传时间：2021-03-23

: 光刻缺陷及影响课程内容： 1 光刻工艺的质量要求 1.1 图形完整、尺寸准确、边缘整齐、陡直 1.2 图形内无针孔 1.3 图形外无小岛 1.4 套合精确、无污染 2 光刻缺陷的影响及形成原因 2.1 光刻缺陷及影响 2.1.1浮胶及影响 2.1.2毛刺、...
评级：0 浏览量：479 收藏量：2 资源大小：28KB 上传时间：2020-12-09

: GaAs饱和吸收体固有缺陷的第一性原理研究然后，计算每种天然缺陷的形成能，从而分析在晶体生长期间形成六种点缺陷的可能性。从状态密度的角度分析了与每种自然点缺陷相对应的缺陷能级及其电子占有率。最后，计算了具有自然点缺陷的GaAs可饱和吸收剂的...
评级：0 浏览量：133 收藏量：0 资源大小：281KB 上传时间：2021-02-24

: KDP晶体飞切加工表面缺陷的抑制方法建立了适用于描述KDP晶体表面缺陷形成过程的理论模型, 提出了获得无缺陷晶体表面的工艺条件。对飞切加工参数及刀具结构进行了优化, 实验验证了缺陷抑制措施的有效性。研究结果表明, 在飞切条件下, KDP晶体(001)晶面...
评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：15.41MB 上传时间：2021-02-03

: 氧化硅-锗系统中缺陷的形成及转换 (2008年) 对溶胶一凝胶法制得的氧化硅一锗玻璃的异常光吸收现象进行了实验研究，分析了掺铝氧化硅一锗玻璃光敏中心及其转化过程，并对紫外光辐照条件下氧化硅一锗玻璃中顺磁中心[GeO-Li+]0的形成及其性质进行了探讨。...
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：209KB 上传时间：2021-05-31

: 人民币汇率形成机制存在的缺陷.docx 人民币汇率形成机制存在的缺陷.docx
评级：0 浏览量：34 收藏量：0 资源大小：21KB 上传时间：2021-11-27

: NO分子间隙掺杂对含有空位缺陷的有线尺寸石墨烯片的性能影响 NO分子间隙掺杂对含有空位缺陷的有线尺寸石墨烯片的性能影响，王骞，丁宗玲，基于密度泛函理论，针对NO分子间隙掺杂对含有空位缺陷的有限尺度石墨烯的影响进行了研究。计算得到体系的稳定结构和总态密度。结�
评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：719KB 上传时间：2020-03-02

: GaAs可饱和吸收体本征点缺陷的第一性原理计算与模拟然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度;最后从态密度的角度对各种本征点缺陷引起的缺陷能级及电子占据情况进行了分析。计算得到的本征缺陷能级有助于分析GaAs可饱和吸收体中EL2深能级缺陷的...
评级：0 浏览量：110 收藏量：0 资源大小：616KB 上传时间：2021-02-24

: charged-defects:带电缺陷分析带电缺陷分析potential_alignment.ipynb python笔记本，它可以对带电缺陷的缺陷形成能量实施电位对准校正，该缺陷使用仿真程序包VASP计算得出。输入： LOCPOT文件（来自VASP的电势文件，仅包含静电电势），用于缺陷...
评级：0 浏览量：182 收藏量：0 资源大小：3KB 上传时间：2021-05-11

: 论文研究-铝垫工艺pits缺陷的形成机理和改善研究 .pdf 铝垫工艺pits缺陷的形成机理和改善研究，郭浩，，在集成电路制造中，Al具有在空气中稳定，且其工艺廉价和成熟的特点。这使其在90纳米甚至更微小尺寸的工艺技术的远后段制程中必不��
评级：0 浏览量：299 收藏量：0 资源大小：417KB 上传时间：2019-08-18

: 物体内部缺陷无损检测技术综述物体内部缺陷是指表面以下的裂纹、杂质...以光学元件和飞机叶片为例，分析内部缺陷形成机理和形貌特征。将内部缺陷无损检测分为有激励无损检测和无激励无损检测，并着重介绍了热激励和磁激励无损检测的原理和研究成果。
评级：0 浏览量：105 收藏量：1 资源大小：3.84MB 上传时间：2021-02-12

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: BGA封装设计与常见缺陷　凸点塌落技术，即回流焊时锡铅球端点下沈到基板上形成焊点，可追溯到70年代中期。但直到现在，它才开始快速发展。目前，Motorola、IBM、Citizen、ASAT、LSI Logic、Hestia和Amkor等公司，除了在自己的产品中使用...
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: 有关电路板焊接缺陷的主要原因所谓可焊性就是金属表面被熔融焊料润湿的性质，即焊料所在金属表面形成一层相对均匀的连续的光滑的附着薄膜。影响印刷电路板可焊性的因素主要有：（1）焊料的成份和被焊料的性质。焊料是焊接化学处理过程中重要的...
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评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：747KB 上传时间：2021-02-12

: Lifshitz全息术中拓扑缺陷的形成和临界动力学我们通过（2 + 1）维量子临界点中的Kibble-Zurek机制检查拓扑缺陷的形成和临界动力学，该量子临界点被推测为对偶成Lifshitz几何。量化的磁通量是自发产生的，并被捕获在有序参数涡旋的核中，这是II型超导体的特征。...
评级：0 浏览量：70 收藏量：0 资源大小：1.46MB 上传时间：2020-04-30

: 学业不足的少年犯的知觉缺陷模式视觉感知技能的多重认知缺陷形成了大多数学术缺陷和社会适应不良的 $he#kh。结果表明，未经诊断和未经治疗的学习障碍对随后的情绪发展有潜在的不良影响。预防拖延症可以从学龄前儿童开始，他们是晚年发展问题的高...
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: 输电线路红外过热检测图像数据集（2000多张图像，VOC标签，其中过热缺陷包含图像融合形成的缺陷和真实缺陷... 内含2300多张输电线路红外过热检测图像，其中过热缺陷包含图像融合形成的缺陷和真实缺陷，利用labelimg对其进行标注，标签格式为voc（xml）。
评级：5 浏览量：217 收藏量：0 资源大小：36.3MB 上传时间：2023-08-30

: 光子晶体局域缺陷模及耦合特性研究随着耦合缺陷点数目增加,缺陷模在光子带隙内形成一个缺陷带;当平面波平行于缺陷模耦合方向入射时,可以同时激发奇模和偶模,当入射平面波垂直于耦合方向时,仅产生偶模;沿对角线方向耦合的定域化的缺陷模电磁场快速衰减...
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: 二维非晶光子材料的缺陷态应用多重散射方法计算了二维介质柱构成的非晶光子材料的缺陷态.在非晶光子材料中抽掉不同位置的圆柱会产生...这表明非晶光子材料中形成的缺陷模不仅具有周期性光子晶体的缺陷模的强局域化特征,同时缺陷模更富于变化.
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: 反位缺陷的形成有效降低BN纳米条带宽的带隙反位缺陷的形成有效降低BN纳米条带宽的带隙，张慧，于广涛，借助密度泛函理论计算方法，研究了反位缺陷对锯齿型和扶手椅型BN纳米条带的几何结构以及电学和磁学性质的影响。反位缺陷的形成能�
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: 不掺杂 TiO2 陶瓷的缺陷化学与气孔形成机理 (2011年) 通过应用缺陷化学和材料检测手段对不掺杂 TiO2 陶瓷气孔形成的机理进行研究。以锐钛矿 TiO2 粉体为原料,采用传统电子陶瓷工艺制备了不掺杂TiO2 陶瓷,应用SEM、EDS和XPS测试在1300、1350和1 400℃烧结的不掺杂 TiO2 ...
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: 缺陷产品召回物流形成机制与实践策略分析 (2009年) 针对缺陷产品召回成本高、效率低的间题,提出了缺陷产品召回物流理论,即通过召回物流的效率来实现产品召回的社会效益。通过构建社会化召回物流网络,完善物流企业产品召回处理功能,加强召回过程产品信息与物流信息共享...
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