有前途的p型透明导电材料CsGeCl3的第一性原理预测

报道最多的p型透明导电材料是基于Cu的化合物，例如CuAlO2和CuCrO2。 在这里，我们报道基于ns（2）阳离子具有低结合能的化合物也可以具有高价带最大值，这对根据掺杂限制规则的p型掺杂至关重要。 特别是，通过第一性原理计算，CsGeCl3是具有ns（2）阳离子价带最大的化合物，被预测为有前途的p型透明导电材料。 我们的结果表明，p型缺陷Ge空位以浅过渡能级占据其固有缺陷，并且在CsGeCl3中计算出的空穴有效质量较低。