n型掺杂

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n型掺杂

: 二维BN材料中n型掺杂探索: 基于第一性原理的带电缺陷计算基于密度泛函理论，结合二维带电缺陷计算方法，系统计算二维BN材料中四种(CB，SiB，GeB，SnB)潜在n型掺杂体系的缺陷性质。结果表明，CB(SnB)体系最稳定价态为+1价(-1价)和0价，而SiB，GeB体系最稳定价态为+1价，0价...
评级：0 浏览量：340 收藏量：0 资源大小：3.14MB 上传时间：2021-02-06

: 行业资料-电子功用-化合物半导体的Ｎ型掺杂方法和用此法生产的电子及光器件的说明分析.rar 行业资料-电子功用-化合物半导体的Ｎ型掺杂方法和用此法生产的电子及光器件的说明分析.rar
评级：0 浏览量：38 收藏量：0 资源大小：788KB 上传时间：2021-09-21

: n型掺杂Fe的In2O3铁磁薄膜的磁性和输运性质 n型掺杂Fe的In2O3铁磁薄膜的磁性和输运性质
评级：0 浏览量：70 收藏量：0 资源大小：304KB 上传时间：2021-02-23

: 具有不对称边缘氢化作用的n型掺杂之字形石墨烯的边缘接触依赖性自旋输运通过第一原理方法研究了具有边缘接触的n型掺杂之字形石墨烯纳米带（ZGNR）的自旋输运特性，其中ZGNR在一个边缘上键合为CH-2，而在另一个边缘上键合为CH，从而形成不对称的边缘氢化。结果表明，在这种ZGNR纳米结中，...
评级：0 浏览量：231 收藏量：0 资源大小：1.27MB 上传时间：2021-03-28

: Diamond（001）衬底上立方氮化硼薄膜的异质外延生长及其n型掺杂 Diamond（001）衬底上立方氮化硼薄膜的异质外延生长及其n型掺杂
评级：0 浏览量：70 收藏量：0 资源大小：658KB 上传时间：2021-04-09

: 非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅微晶硅叠层太阳电池性能的影响.pdf 摘要：采用超高频等离子增强化学气相沉积技术，逐次高速沉积非晶硅顶电池及微晶硅底电池，形成 pin/pin型非晶硅／微晶硅叠层电池
评级：0 浏览量：106 收藏量：0 资源大小：835KB 上传时间：2019-09-05

: 光伏设备行业：N型电池产业化进程加快设备行业有哪些投资机会？-38页.pdf 第一性原理决定N型电池是行业发展的必然方向。降本增效是光伏行业的第一性原理。目前P型电池已经接近理论效率天花板。N型硅片的少子寿命更高、对金属污染的容忍度更高、无光致衰减衰减（BO-LID）现象决定了其具有...
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：2.82MB 上传时间：2023-04-25

: n型势垒掺杂对InGaN发光二极管稳态和动态性能的影响对n掺杂和非掺杂InGaN LED的稳态和动态特性进行了比较研究。仿真结果表明，n型掺杂的LED具有优异的发光和调制性能，这主要归因于n型掺杂的LED具有较高的载流子辐射率。结果可以很好地解释所报告的实验结果
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：408KB 上传时间：2021-03-17

: 单层MoS_2分子掺杂的第一性原理研究还表明吸附TTF分子的单层MoS2结构表现出n型半导体的特质,而吸附TCNQ,TCNE两种分子的单层MoS2结构均表现出p型半导体的性质,这些结果表明可以通过改变吸附的分子来实现对单层MoS2的掺杂类型的调控.本文的研究结果将对...
评级：0 浏览量：91 收藏量：0 资源大小：2.5MB 上传时间：2021-03-17

: 高掺杂n型硅上的纳米光子晶体形成高掺杂n型硅上的纳米光子晶体形成
评级：0 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：640KB 上传时间：2021-03-19

: 半导体掺杂相关知识介绍由于在硅中杂质的有限的固体溶解性，即使重掺杂的半导体每百万中也只有几百个杂质而已。由于半导体对于杂质的极度敏感性，很难制造真正的本征物质。因此实际上半导体器件几乎都是由掺杂物质制造的。掺有磷的半导体...
评级：5 浏览量：2228 收藏量：1 资源大小：68KB 上传时间：2020-12-09

: B/N掺杂对双层石墨烯电子特性影响的第一性原理研究 (2010年) B/N原子单掺杂分剐对应p型和n型掺杂,会使掺杂片层的能带平移,使得体系能带结构产生较大分裂;双层掺杂的石墨烯能带结构与掺杂原子的相对位置和距离有关,对电子特性有明显的调控作用.其中特别有意义的是,B/N双层共掺杂...
评级：0 浏览量：129 收藏量：0 资源大小：491KB 上传时间：2021-05-11

: ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光 (2007年) 本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术，其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等；在p型掺杂的基础上，实现ZnO同质p-n结室温电注入发光。
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：408KB 上传时间：2021-05-15

: N掺杂的TiO2纳米管的制备及光催化脱除NOx性能采用浸渍法对TiO2(水热法合成)纳米管进行N修饰,制得N掺杂的TiO2纳米管。通过XRD、TEM、UV-Vis和DRS对样品进行表征。结果表明,500℃热处理后的样品晶型几乎全部为锐钛矿;纳米管长为60~160nm,管径为7~15nm,壁厚为1.5nm...
评级：0 浏览量：342 收藏量：0 资源大小：781KB 上传时间：2020-05-26

: 热压温度对Gd掺杂N型赝三元半导体材料热电性能的影响.pdf 热压温度对Gd掺杂N型赝三元半导体材料热电性能的影响.pdf
评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：2.72MB 上传时间：2021-08-29

: ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光 ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光，叶志镇，曾昱嘉，本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术，其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等；在p型�
评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：272KB 上传时间：2020-02-28

: 自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜的发光特性采用螺旋波等离子体辅助溅射技术...两种薄膜的发光特性比较分析表明，N-Al共掺杂技术能够有效提高N的固溶度，N受主能级密度增加使薄膜表现出较强的施主-受主对跃迁发光，表明该技术为实现p型ZnO薄膜制备的有效方法。
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：510KB 上传时间：2021-02-12

: 基于第一性原理的二维g-AlN材料p型掺杂研究半导体材料通过掺杂实现n型和p型载流子导电在半导体器件领域具有重要意义，理论上可通过计算电荷转移能级和缺陷形成能来探索半导体材料的n型和p型掺杂效率。基于第一性原理，结合二维带电缺陷计算方法，类石墨烯...
评级：0 浏览量：182 收藏量：0 资源大小：4.6MB 上传时间：2021-02-21

: Al-N 共掺杂p 型ZnO 薄膜制备及电学性能的研究 (2012年) 实验结果表明,Al-N 共掺杂ZnO 薄膜在578 益退火8 min 表现出较稳定的p 型导电,其载流子数高达1伊1018 ~6*10 18 个・cm-3 ,对应的电阻率为1 -9 ・cm,迁移率为1 ~ 2 cm2 ・V-1 ・s-1 。与单掺N相比,
评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：368KB 上传时间：2021-05-22

: 替位型N掺杂对C60电子结构影响的计算研究替位型N掺杂对C60电子结构影响的计算研究，李燕峰，徐慧，通过第一性原理计算，本文对一个C原子替位掺杂成N原子后的异位富勒烯进行了电子结构的研究。计算结果表明，一个N原子替位不显著改
评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：195KB 上传时间：2019-12-30

: 通过强氧化剂在高掺杂n型硅上快速形成纳米级大Kong 通过强氧化剂在高掺杂n型硅上快速形成纳米级大Kong
评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：429KB 上传时间：2021-02-24

: 低掺杂浓度n型GaAs欧姆接触的研究 (2013年) 利用传输线方法（TLM）重点研究了低掺杂浓度（2×1017at/cm3）n型GaAs接触层的欧姆接触，通过改变AuGe/Ni的厚度比、合金化的温度和时间等参数，获得了最优化的制备条件：AuGe/Ni/Au的厚度为5onm/25 nm/100 nm，退火...
评级：0 浏览量：114 收藏量：0 资源大小：399KB 上传时间：2021-05-13

: 高能氦粒子对N型磷掺杂硅半导体辐照效应的模拟研究.pdf 高能氦粒子对N型磷掺杂硅半导体辐照效应的模拟研究.pdf
评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：925KB 上传时间：2021-08-29

: N掺杂TiO2光催化剂的制备与表征 (2007年) 结果表明：掺杂氮元素主要以形成配合物分子形式均匀分布在煅烧前驱体中，在TiO2从无定形转变为锐态矿型的过程中，掺杂氮元素以Ti—N化学键的形式进入到TiO2晶格中；该N掺杂TiO2光催化剂样品的粒径为10～30nm，比表...
评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：434KB 上传时间：2021-05-31

: 一种N型轻掺杂氢化硅基薄膜的欧姆接触 (2011年) 使用等离子体增强化学气相沉积方法制备了一组磷掺杂氢化硅基薄膜。I-U曲线显示薄膜与铝电极形成了良好的欧姆接触。霍尔测试结果表明该组样品为轻掺杂;利用拉曼光谱和紫外-可见吸收光谱对薄膜的微结构和光学带隙进行...
评级：0 浏览量：33 收藏量：0 资源大小：1.3MB 上传时间：2021-05-22

: 变温霍尔效应测量浅掺杂n型锗半导体薄膜的电学特性.pdf "变温霍尔效应测量浅掺杂n型锗半导体薄膜的电学特性" 这篇论文主要介绍了使用变温霍尔效应测量浅掺杂n型锗半导体薄膜的电学特性。通过对实验数据的分析，获得了半导体样品的电学参数，如禁带宽度和杂质电离能E。 ...
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：255KB 上传时间：2021-08-29

: p型ZnO薄膜制备和掺杂的研究进展高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。综述了获得p型ZnO薄膜的制备方法和掺杂技术的研究进展，讨论了目前生长高质量的p型ZnO薄膜存在的困难，并对不同方法制备的p型ZnO薄膜的特点进行了比较分析。
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：504KB 上传时间：2021-02-26

: Mg-N阴阳离子共掺杂SnO2的第一性原理研究基于密度泛函理论，利用第一性原理计算Mg-N阴阳离子双受主共掺杂SnO2的电子结构、电荷密度分布和...Mg单受主掺杂SnO2时，增加了带隙宽度，费米能级进入价带，Mg-N共掺杂SnO2时，带隙窄化，表现出明显的p型导电类型。
评级：0 浏览量：110 收藏量：0 资源大小：4.15MB 上传时间：2021-01-26

: 掺杂Mg 掺Al后Mg2Si为n型半导体, 导带主要由Mg的3s、3p, Si的3p及Al的3p态电子构成, Al的3s态电子贡献相对较小, 静态介电常数为87.03, 折射率为9.3289。通过掺杂有效调制了Mg2Si的电子结构, 计算结果为Mg2Si光电材料的设计...
评级：0 浏览量：91 收藏量：0 资源大小：4.64MB 上传时间：2021-02-10

: 单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池数值模拟通过模拟优化，n型MoS2的电子亲和能为3.75 eV、掺杂浓度为1018 cm-3，p型c-Si的掺杂浓度为1017 cm-3时，太阳电池能够取得最高22.1%的转换效率。最后模拟了n型MoS2/p型c-Si异质结界面处的界面态对太阳电池性能的影响...
评级：0 浏览量：250 收藏量：0 资源大小：3.21MB 上传时间：2021-02-22

: 负载型共掺杂TiO2对城市废水的日光降解作用采用过渡金属与稀土离子共掺杂对TiO2/漂珠光催化剂进行改性,以提高其...废水的pH=6.5、催化剂投入量为3.5g/L时,其降解率最大,日光照射5 h后,降解率可以达到85.12%(CODCr)和73.4%(NH3-N)。催化剂使用后可以活化再生2次。
评级：0 浏览量：95 收藏量：0 资源大小：485KB 上传时间：2020-06-23

: La掺杂n型Mg_2Si基半导体的热电性能研究.pdf La掺杂n型Mg_2Si基半导体的热电性能研究.pdf
评级：0 浏览量：40 收藏量：0 资源大小：281KB 上传时间：2021-08-29

: N掺杂ZnO纳米线的制备及光学特性的Materials Studio理论计算.pdf 但目前，采用各种方法制备的ZnO半导体纳米材料一般都呈现N型导电特性，ZnO材料的P型掺杂一直没有很好的解决。为了更好地利用ZnO这种新的半导体材料，拓展ZnO半导体材料的应用领域，世界范围内的科研工作者都在大力...
评级：0 浏览量：16 收藏量：0 资源大小：8.76MB 上传时间：2023-11-11

: N掺杂p-型ZnSe电子结构的第一性原理计算 (2009年) 采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理全电子势线性缀加平面波方法（FPLAPW），对N掺杂ZnSe晶体的几何结构进行了优化，从理论上给出了N掺杂ZnSe晶体结构参数并对中心Zn原子近邻和次近邻位N掺杂前后总态密度及分态...
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: ZnO薄膜材料表面的Li-N共掺杂构型及其对p型电导的影响 ZnO薄膜材料表面的Li-N共掺杂构型及其对p型电导的影响，司杭，何海燕，本文利用第一性原理的方法，系统地研究了在ZnO非极性表面和极性表面的不同原子层中，同时用单个Li和N原子分别去替代Zn和O原子(记为Li
评级：0 浏览量：96 收藏量：0 资源大小：1.9MB 上传时间：2020-02-09

: 直流磁控溅射ZnO：Al2O3陶瓷靶材制备Al-N-掺杂P型ZnO薄膜中高载流子迁移率的实现在这项研究中，Al-N共掺杂型氧化锌（ZnO）薄膜在N2和O2气体与陶瓷ZnO：（2 wt％Al2O3）的溅射靶中使用DC-沉积在Si和均质缓冲层模板上磁控溅射。双θ衍射的X射线衍射光谱表明，所有膜均具有ZnO纤锌矿结构的主要（002...
评级：0 浏览量：152 收藏量：0 资源大小：2.6MB 上传时间：2021-03-16

: n型与半绝缘6H-SiC晶体的超快载流子动力学利用带间激发的超快瞬态吸收光谱，研究了导电(n型)氮(N)掺杂和半绝缘(SI)钒(V)掺杂6H-SiC晶片的超快载流子复合动力学过程。N杂质和/或固有缺陷的间接复合主导了n型6H-SiC的载流子弛豫，其寿命超过了10 ns。与n型6H-...
评级：0 浏览量：154 收藏量：0 资源大小：4.52MB 上传时间：2021-02-22

: B/N掺杂对于石墨烯纳米片电子输运的影响选用锯齿(zigzag)型石墨烯纳米片为研究对象,Au作为电极,分子平面与Au的(111)面垂直,并通过末端S原子化学吸附于金属表面,构成两种分子器件:一种是在纳米片的边缘掺杂N(B)原子,发现电流-电压具有非线性行为,但是整流...
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：5.37MB 上传时间：2021-04-05

: 碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究 (2011年) 通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比．计算结果表明，在氮化铝中由碳硅共掺形成的Cn-Si络合物(n=1，2，3，4)可以稳定存在，特别是在C2-Si络合物中碳受主电离能仅有0．19 eV，比单个...
评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：268KB 上传时间：2021-05-29

: 基于载流子选择性接触的N型晶硅电池钝化特性研究为了研究载流子选择性接触结构在N型晶硅电池钝化特性，本文设计了专门的材料结构。分析对比了不同掺杂浓度分布的材料结构在退火后、沉积SiNx∶H薄膜后及烧结后隐开路电压值的变化，并对其钝化机理进行了分析。研究...
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: N、S共掺杂型二氧化钛光催化降解有机污染物的性能研究 (2008年) 用自制N、S共掺杂的TiO2纳米粉体降解亚甲基兰溶液，同未掺杂、单掺N或单掺S的TiO2纳米粉体做了比较，系统地研究了影响TiO2降解亚甲基兰溶液的因素．结果显示，无论是太阳光还是紫外光照射下，N、S共掺杂的TiO2纳米...
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: 掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错生长的影响 (2015年) 对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长,以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响. 研究表明: 在相同的热氧化条件下,重掺锑直拉硅片的OSF的长度大于重掺磷硅片的. 基于...
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: 通过Mg-Ga-ONδ-共掺杂提高纳米（AlN）（5）/（GaN）（1）超晶格取代的Al0.83Ga0.17N合金的p型掺杂效率：O... 这导致高空穴浓度约为10（20）cm（-3）（AlN）（5）/（GaN）（1）SL中在室温下我们的结果证明，在具有超薄GaN层的AlN / GaN SL中进行nMg（Ga）-ON（n = 2,3）d共掺杂是提高富含Al的AlGaN中p型掺杂效率的有效方法。...
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