碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究 (2011年)

采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体．通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比．计算结果表明，在氮化铝中由碳硅共掺形成的Cn-Si络合物(n=1，2，3，4)可以稳定存在，特别是在C2-Si络合物中碳受主电离能仅有0．19 eV，比单个碳受主低0．28 eV．利用碳硅共掺方法，在实验上制备出空穴浓度为1．4×1014 cm-3、迁移率为52 cm2／(V・s)的p型氮化铝晶体．